Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Infineon BSC047N08NS3G 48HRS

8A current capacity

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon

Pièce Fabricant #: BSC047N08NS3G

Fiche de données: BSC047N08NS3G Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: SuperSO8 5x6

Statut RoHS:

État des stocks: 3195 pièces, nouveau original

type de produit: Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $1,854 $1,854
10 $1,610 $16,100
30 $1,458 $43,740
100 $1,206 $120,600
500 $1,135 $567,500
1000 $1,105 $1105,000

In Stock:3195 PCS

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour BSC047N08NS3G ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

BSC047N08NS3G Description générale

The BSC047N08NS3 G is a N-channel power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. It is designed for use in a wide range of applications, including DC-DC converters, motor control, and power supplies. This MOSFET features a maximum continuous drain current of 47A and a maximum drain-source voltage of 80V. It has a low on-state resistance of 8mΩ, which helps to reduce power losses and improve efficiency in high-current applications. The BSC047N08NS3 G also has a gate threshold voltage of 2.5V and a gate charge of 58nC, making it easy to drive with standard digital logic circuits. It has a low input capacitance of 2850pF and a fast switching speed, which allows for efficient operation at high frequencies.This MOSFET is housed in a TO-263 package, which provides excellent thermal performance and reliable operation in demanding environments. It is also RoHS compliant, making it suitable for use in environmentally sensitive applications.

bsc047n08ns3g

Caractéristiques

  • The BSC047N08NS3 G is a MOSFET transistor designed for high efficiency power switching applications
  • It features a low on-resistance of 4
  • 7 mΩ, a gate charge of 57 nC, and a maximum drain-source voltage of 80V
  • The device also has a rugged Silicon Carbide (SiC) structure, allowing for reliable performance in harsh environments
  • bsc047n08ns3g

    Application

  • The BSC047N08NS3 G is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as automotive powertrain, power supply systems, motor control, and industrial automation
  • It is ideal for high current switching applications due to its low on-resistance and high efficiency
  • It is also suitable for use in battery management systems and renewable energy systems
  • Caractéristiques

    Paramètre Valeur Paramètre Valeur
    IDpuls max 400.0 A Ptot max 125.0 W
    VDS max 80.0 V Polarity N
    RDS (on) max 4.7 mΩ Package SuperSO8 5x6
    ID max 100.0 A VGS(th) max 3.5 V
    VGS(th) min 2.0 V Operating Temperature max 150.0 °C
    Operating Temperature min -55.0 °C

    Expédition

    Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
    DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

    Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

    Paiement

    Modalités de paiement Frais de main
    Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
    Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
    Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
    Western union Western union charge US.00 banking fee.
    Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

    Garanties

    1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

    2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

    Emballage

    • Produit

      Étape1 :Produit

    • Emballage sous vide

      Étape2 :Emballage sous vide

    • Sac antistatique

      Étape3 :Sac antistatique

    • Emballage individuel

      Étape4 :Emballage individuel

    • Boîtes d'emballage

      Étape5 :Boîtes d'emballage

    • étiquette d'expédition à code-barres

      Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

    Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

    L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

    Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

    Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

    • ESD
    • ESD

    Pièces équivalentes

    Pour le BSC047N08NS3G composant, vous pouvez envisager ces pièces de rechange et alternatives:

    Numéro d'article

    Marques

    Emballer

    Description

    Numéro d'article :   IRFP4768PBF

    Marques :  

    Emballer :   TO-247AC

    Description :   250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package

    Numéro d'article :   STP110N8F7

    Marques :  

    Emballer :   TO-220

    Description :  

    Numéro d'article :   FDB047N08

    Marques :  

    Emballer :  

    Description :   by Fairchild Semiconductor

    Numéro d'article :   SIHG47N60E-E3

    Marques :   Vishay

    Emballer :  

    Description :  

    Numéro d'article :   IPP047N08N3

    Marques :  

    Emballer :  

    Description :   G by Infineon Technologies

    Points de pièce

    • The BSC047N08NS3G is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for use in high-power applications. It features low ON-resistance, high current rating, and fast switching speeds, making it ideal for power management in industrial, automotive, and consumer electronics.
    • Equivalent

      Some equivalent products of BSC047N08NS3G chip are Infineon IPP047N08N5, Vishay SIHP47N08E-GE3, and Fairchild FCP47N08. These chips are all similar in specifications and can be used as alternatives in various applications.
    • Features

      1. N-channel 80V power MOSFET 2. Low on-resistance (4.7mΩ) 3. High current handling capability (90A) 4. Excellent thermal performance 5. Low gate charge for fast switching 6. Avalanche energy rated 7. Suitable for high power applications in automotive, industrial, and consumer electronics.
    • Pinout

      The BSC047N08NS3G is a 80V, 47A N-channel Power MOSFET with a D2PAK package. It has a pin count of 3 with the following functions: Pin 1 (Gate), Pin 2 (Source), and Pin 3 (Drain).
    • Manufacturer

      The BSC047N08NS3G is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company that specializes in power electronics, security solutions, and digital security technology. They provide semiconductor solutions for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
    • Application Field

      The BSC047N08NS3G is a power MOSFET transistor used in various applications such as motor control, power supplies, and automotive systems. It is commonly found in electric vehicles, industrial machinery, and other high-power electronic devices that require efficient and reliable switching capabilities.
    • Package

      The BSC047N08NS3G chip comes in a TO-252 package type with a surface-mount form. Its size measures 6.65mm x 6.15mm x 1.55mm.

    Fiche de données PDF

    Spécification préliminaire BSC047N08NS3G PDF Télécharger

    Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

    • Produit

      Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

    • quantity

      La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

    • shipping

      Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

    • garantie

      Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

    Notes et avis

    Notes
    Veuillez évaluer le produit !
    Merci de saisir un commentaire

    Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

    Soumettre

    Recommander

    • IRF7424PBF

      IRF7424PBF

      INFINEON

      Low on-state resistance of 13.5mOhms

    • IRF540NSTRLPBF

      IRF540NSTRLPBF

      Infineon

      TO-263-3 packaged IRF540NSTRLPBF MOSFET with N-cha...

    • IRF7406TRPBF

      IRF7406TRPBF

      INFINEON

      P-channel MOSFET with a maximum voltage rating of ...

    • IRF7401TRPBF

      IRF7401TRPBF

      Infineon

      Suitable for applications requiring a current rati...

    • IRF7478TRPBF

      IRF7478TRPBF

      Infineon

      Transistor with a 60V maximum voltage, 7.6A curren...

    • IRL1004S

      IRL1004S

      Infineon Technologies Corporation

      N-Channel 40 V 130A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surf...