Commandes de plus de
$5000Infineon BSC093N04LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: BSC093N04LSGATMA1
Fiche de données: BSC093N04LSGATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TDSON-8
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 3 048 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSC093N04LSGATMA1 Description générale
Infineon Technologies has developed the BSC093N04LSGATMA1 power MOSFET transistor to meet the needs of high-power applications with its impressive specifications. With a 40V drain-source voltage rating and a continuous drain current of 130A, this transistor is well-suited for demanding tasks that require efficient power handling. Its low on-resistance of 9.3 mΩ contributes to minimal power loss and ensures high efficiency during operation
Caractéristiques
- Advanced thermal management system
- Low noise emission and efficient heat dissipation
- Robust construction for reliable operations
Application
- Power distribution
- Hybrid vehicles
- Motor drives
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip designed for use in high-performance applications. It features a low ON resistance and high current handling capability, making it ideal for use in power management circuits, motor control, and other high-power applications.
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Equivalent
The equivalent products of BSC093N04LSGATMA1 chip are BSC093N04LS6G, BSC093N04NS6G, and BSC093N04NSATMA1. These are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET featuring a drain-source voltage of 40V and continuous drain current of 150A. It has a low on-state resistance of 1.9mΩ and is suitable for high-performance power applications. Additional features include a TO263 package and enhanced thermal management capabilities. -
Pinout
BSC093N04LSGATMA1 is a 30V N-channel Power MOSFET with a dual Power-SO8 package. It has a pin count of 8 pins and is commonly used for switching applications in power supplies, motor control, and battery management systems. -
Manufacturer
BSC093N04LSGATMA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor company that specializes in power and chip solutions. It is a leading supplier of power semiconductors and system solutions for automotive, industrial, and consumer electronics applications. -
Application Field
BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET commonly used in applications such as power supplies, motor control, energy management systems, battery management systems, and DC-DC converters. It is suitable for high current and high voltage applications due to its low on-resistance and high efficiency. -
Package
The BSC093N04LSGATMA1 chip is in a Power-SO8 package with a form of Surface Mount. Its size is 5mm x 6mm x 1mm.
Fiche de données PDF
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