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Infineon BSC093N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon Technologies Corporation

Pièce Fabricant #: BSC093N04LSGATMA1

Fiche de données: BSC093N04LSGATMA1 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: PG-TDSON-8

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 3 048 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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BSC093N04LSGATMA1 Description générale

Infineon Technologies has developed the BSC093N04LSGATMA1 power MOSFET transistor to meet the needs of high-power applications with its impressive specifications. With a 40V drain-source voltage rating and a continuous drain current of 130A, this transistor is well-suited for demanding tasks that require efficient power handling. Its low on-resistance of 9.3 mΩ contributes to minimal power loss and ensures high efficiency during operation

Caractéristiques

  • Advanced thermal management system
  • Low noise emission and efficient heat dissipation
  • Robust construction for reliable operations

Application

  • Power distribution
  • Hybrid vehicles
  • Motor drives

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip designed for use in high-performance applications. It features a low ON resistance and high current handling capability, making it ideal for use in power management circuits, motor control, and other high-power applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of BSC093N04LSGATMA1 chip are BSC093N04LS6G, BSC093N04NS6G, and BSC093N04NSATMA1. These are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    The BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET featuring a drain-source voltage of 40V and continuous drain current of 150A. It has a low on-state resistance of 1.9mΩ and is suitable for high-performance power applications. Additional features include a TO263 package and enhanced thermal management capabilities.
  • Pinout

    BSC093N04LSGATMA1 is a 30V N-channel Power MOSFET with a dual Power-SO8 package. It has a pin count of 8 pins and is commonly used for switching applications in power supplies, motor control, and battery management systems.
  • Manufacturer

    BSC093N04LSGATMA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor company that specializes in power and chip solutions. It is a leading supplier of power semiconductors and system solutions for automotive, industrial, and consumer electronics applications.
  • Application Field

    BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET commonly used in applications such as power supplies, motor control, energy management systems, battery management systems, and DC-DC converters. It is suitable for high current and high voltage applications due to its low on-resistance and high efficiency.
  • Package

    The BSC093N04LSGATMA1 chip is in a Power-SO8 package with a form of Surface Mount. Its size is 5mm x 6mm x 1mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire BSC093N04LSGATMA1 PDF Télécharger

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