Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

Infineon BSC360N15NS3GATMA1

Single N-Channel Power Mosfet with OptiMOS™ Technology

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon Technologies Corporation

Pièce Fabricant #: BSC360N15NS3GATMA1

Fiche de données: BSC360N15NS3GATMA1 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: PG-TDSON-8

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 3 410 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour BSC360N15NS3GATMA1 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

BSC360N15NS3GATMA1 Description générale

The BSC360N15NS3GATMA1 is a MOSFET transistor with a N Channel and a maximum continuous drain current of 33A. With a drain source voltage of 150V, this transistor has an on-resistance of 0.031ohm when tested at a gate-source voltage of 10V. The threshold voltage required for this MOSFET to turn on is 3V

Caractéristiques

  • Fine pitch surface mount package
  • Low input capacitance and leakage current
  • High speed switching with reduced ringing
  • Thermal shutdown protection for safe operation
  • Economical and reliable MOSFET solution
  • Silicon-based material for improved performance

Application

  • Compact power supplies
  • Integrated solar systems
  • Fast EV charging stations

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes Series OptiMOS™
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 45µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 75 V Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1 Package / Case 8-PowerTDFN
Base Product Number BSC360

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The BSC360N15NS3GATMA1 is a high-power MOSFET chip designed for various industrial applications. It features a low ON-resistance, high breakdown voltage, and a compact size, making it an ideal choice for power management in systems requiring high efficiency and reliability.
  • Equivalent

    The equivalent products of BSC360N15NS3GATMA1 chip are Infineon IPP360N15N3G and Toshiba TK18A60V. These chips are all N-channel power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    The BSC360N15NS3GATMA1 is a power transistor module with a voltage rating of 1500V and a current rating of 360A. It features low static losses, high current capability, and excellent thermal performance. It is suitable for high-power applications such as industrial drives, UPS systems, and renewable energy converters.
  • Pinout

    BSC360N15NS3GATMA1 is a MOSFET with a pin count of 3. The functions of its pins are: pin 1 (drain), pin 2 (source), and pin 3 (gate). It is a 150V N-channel power MOSFET with a maximum continuous drain current of 85A.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of BSC360N15NS3GATMA1. It is a German semiconductor company specializing in power and sensor systems. Infineon produces a wide range of products for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    BSC360N15NS3GATMA1 is a semiconductor component commonly used in power management applications such as voltage regulators, DC-DC converters, and motor control systems. It is also employed in industrial equipment, automotive electronics, and consumer electronics where precise voltage regulation and current control are required.
  • Package

    The BSC360N15NS3GATMA1 chip is a PowerTrench® MOSFET in a D2PAK package. It has a form of Surface Mount and a size of 10.7 mm x 9.5 mm x 4.5 mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire BSC360N15NS3GATMA1 PDF Télécharger

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • IRF4905PBF

    IRF4905PBF

    Infineon Technologies

    The IRF4905PBF is a power-efficient P-channel MOSF...

  • IRF3710

    IRF3710

    Infineon

    Power Field-Effect Transistor with 57A I(D)

  • IRF6619

    IRF6619

    Infineon

    20V MOSFET with 2.2mΩ resistance at 30A

  • IPD30N10S3L-34

    IPD30N10S3L-34

    Infineon

    Automotive-grade N-channel transistor MOSFET with ...

  • BUP314D

    BUP314D

    Infineon

    42A I(C), 1200V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Tr...

  • SPW47N65C3

    SPW47N65C3

    Infineon

    Discover unparalleled quality and innovation in th...