Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000Infineon BSC670N25NSFDATMA1
This MOSFET, labeled BSC670N25NSFDATMA1, is packaged in a TDSON-8 format and is compliant with the ROHS directive
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: BSC670N25NSFDATMA1
Fiche de données: BSC670N25NSFDATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TDSON-8
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 2 682 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
BSC670N25NSFDATMA1 Description générale
Product BSC670N25NSFDATMA1 is a cutting-edge power MOSFET from Infineon's latest OptiMOS Fast Diode (FD) series. Specifically designed for hard switching applications in telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control, and DC-AC inverters, this MOSFET offers exceptional performance and reliability
Caractéristiques
- High efficiency motor control
- Low voltage logic level shifter
- Power conversion module design
- Smart grid energy management
- Data center power distribution
- Solar panel inverter application
Application
- Energy efficient solutions
- High performance devices
- Clean energy technologies
- Power management solutions
- Advanced electrical systems
- Green energy applications
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TDSON-8 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V | Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 59 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | OptiMOS |
| Packaging: | Reel | Series: | OptiMOS Fast Diode |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Brand: | Infineon Technologies |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S | Fall Time: | 4 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 3.6 ns |
| Factory Pack Quantity: | 5000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Part # Aliases: | BSC670N25NSFD SP001107234 | Tags | BSC6, BSC |
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The BSC670N25NSFDATMA1 is a power transistor chip designed for high efficiency and reliability in high-power applications. With a voltage rating of 250V and a current rating of 50A, this chip is suitable for use in a wide range of industrial and automotive applications. Its advanced technology ensures low on-resistance and thermal resistance for improved performance and durability.
-
Equivalent
The equivalent products of BSC670N25NSFDATMA1 chip are Infineon CoolMOS N-Channel Power MOSFET, Nexperia Power MOSFET, Renesas Power MOSFET, and Toshiba Power MOSFET with similar specifications and performance characteristics for power management applications. -
Features
- High voltage, low loss & fast switching IGBT module - 2500V collector-emitter voltage - 670A collector current - NPT3 technology for high efficiency - Direct copper bonded Al2O3 ceramic baseplate - Soldering process on DCB without any insulating material - Integrated gate resistance for easier installation & optimized EMI performance -
Pinout
BSC670N25NSFDATMA1 is a 25-pin socket contact with a flat top-positioned on the center of the pad-entry arrangement. The main function of BSC670N25NSFDATMA1 is to provide a reliable and secure connection between the socket and the device being connected. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of BSC670N25NSFDATMA1. It is a semiconductor manufacturer, specializing in components for automotive, industrial, and security applications. The company is known for its high-quality power and sensor solutions, as well as its innovative technology in fields such as renewable energy and digital security. -
Application Field
BSC670N25NSFDATMA1 is a silicon carbide power MOSFET suitable for various high-power applications, including motor drives, electric vehicles, renewable energy systems, and industrial power supplies. It offers low on-resistance, high switching speeds, and high temperature capabilities, making it ideal for high-performance power electronics applications. -
Package
The BSC670N25NSFDATMA1 chip is a surface mount package with a form of MOSFET. It has a size of 4.6mm x 9.5mm x 0.73mm and is designed for high power applications.
Fiche de données PDF
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
I was impressed with the fast delivery and competitive pricing. Thank you, Ovaga!