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$5000NEXPERIA BSP250,135
BSP250 Series -30V 250 mOhm P-Channel Enhancement Mode D-MOS Transistor -SOT-223
Marques: NEXPERIA
Pièce Fabricant #: BSP250,135
Fiche de données: BSP250,135 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-223-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 8 136 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSP250,135 Description générale
Moreover, BSP250 is RoHS Compliant, making it environmentally friendly and safe for use in modern electronics. The SOT-223 package makes it easy to integrate this MOSFET into various circuit designs
Caractéristiques
- High-speed switching
- No secondary breakdown
- Very low on-resistance.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BSP250,135 | Part Life Cycle Code | Not Recommended |
| Ihs Manufacturer | NEXPERIA | Part Package Code | SC-73 |
| Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Pin Count | 4 |
| Manufacturer Package Code | SOT223 | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Date Of Intro | 2017-02-01 |
| Samacsys Manufacturer | Nexperia | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
| Drain Current-Max (ID) | 3 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.4 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-G4 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 4 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 12 A | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Product Status | Not For New Designs | FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 20 V | Power Dissipation (Max) | 1.65W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223 | Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Base Product Number | BSP250 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSP250,135 is a power transistor chip designed for high voltage applications. It features a low on-state resistance and is suitable for use in switching and amplifier circuits. With a maximum voltage rating of 450V, this chip is often used in power supply units and motor control applications.
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Equivalent
The equivalent products of BSP250,135 chip are NTSA0XC104FE1B0 and TIP41C. These are power transistors with similar specifications and applications as the BSP250,135 chip. -
Features
The BSP250,135 is a bipolar transistor with a collector current of 3A, collector-emitter voltage of 45V, and power dissipation of 1W. This transistor is designed for general-purpose amplifier and switching applications. -
Pinout
The BSP250,135 is a N-channel, enhancement-mode MOSFET transistor with a pin count of 3. The pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). The MOSFET is used for switching and amplification applications in electronic circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the BSP250,135 is Fresenius Kabi. Fresenius Kabi is a leading global healthcare company that specializes in the production of a wide range of pharmaceutical products and medical devices, including infusion and nutrition therapy. They are known for their commitment to supporting the healthcare industry and improving patient outcomes through their innovative products and services. -
Application Field
The BSP250,135 is commonly used in industrial applications such as power management, lighting control, motor control, and electronic system prototyping. It is also utilized in household appliances, automotive systems, and telecommunications equipment for efficient power regulation and switching functions. -
Package
The BSP250,135 chip is a surface mount transistor in an SOT223 package. It has a maximum power dissipation of 2 W and a maximum collector current of 1 A. The dimensions of the chip are 6.7 mm x 3.7 mm x 1.8 mm.
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