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NEXPERIA BSS138PW,115
N-Channel 60 V 320mA (Ta) 260mW (Ta), 830mW (Tc) Surface Mount SOT-323
Marques: Nexperia
Pièce Fabricant #: BSS138PW,115
Fiche de données: BSS138PW,115 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-323-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 10 | $0,043 | $0,430 |
| 100 | $0,035 | $3,500 |
| 300 | $0,031 | $9,300 |
| 3000 | $0,027 | $81,000 |
| 6000 | $0,024 | $144,000 |
| 9000 | $0,023 | $207,000 |
En stock: 9 458 PC
BSS138PW,115 Description générale
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Caractéristiques
- Meets or exceeds industry standards
- Rapid prototyping and testing capabilities
- Expert technical support available
Application
- Connect power
- Drive a motor
- Switch on/off
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Nexperia | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-323-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 320 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV | Qg - Gate Charge: | 720 pC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 310 mW | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Nexperia | Product Type: | MOSFET |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Part # Aliases: | 934064987115 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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BSS138PW,115 is a P-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with high performance and low threshold voltage. It is commonly used in low voltage applications such as battery management, power management, and signal switching. With its small form factor and high switching speed, this chip is ideal for compact and efficient electronic designs.
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Equivalent
The equivalent products of BSS138PW,115 chip are BSS138H6327 and BSS138HTSA1. These are also N-channel enhancement-mode MOSFETs with similar specifications and characteristics. They can be used as substitutes for the BSS138PW,115 chip in various electronic applications. -
Features
BSS138PW,115 is a standard N-Channel MOSFET with a 50V drain-source voltage rating and 0.22 ohm on-resistance. It is RoHS compliant, designed for low voltage, high speed switching applications, and is ideal for use in power management circuits, battery protection, and load switching. -
Pinout
The BSS138PW,115 is a dual N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a SOT323 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The pin count is 3. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the BSS138PW,115 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a global semiconductor company that specializes in secure connections and infrastructure for a smarter world. They provide high-performance mixed-signal and standard ICs, and system solutions. -
Application Field
The BSS138PW,115 is commonly used in voltage level shifting, signal switching, and load switching applications in portable devices such as smartphones, tablets, and wearables. It is also used in power management circuits, battery management systems, and other low power applications where efficient power control is required. -
Package
The BSS138PW,115 chip is a surface mount SOT323 package. It is a MOSFET transistor with a P-Channel and a maximum drain-source voltage of 50V. The size of the package is typically 2.2mm x 1.3mm x 1.0mm.
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