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$5000NEXPERIA BUK768R3-60E
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Marques: NEXPERIA
Pièce Fabricant #: BUK768R3-60E
Fiche de données: BUK768R3-60E Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: D2PAK-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 7 843 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ovaga dispose d'un stock important de BUK768R3-60E Single FETs, MOSFETs depuis NEXPERIA et nous garantissons qu'il s'agit de pièces originales et neuves provenant directement de NEXPERIA Nous pouvons fournir des rapports de tests de qualité pour BUK768R3-60E à votre demande. Pour obtenir un devis, remplissez simplement la quantité requise, le nom du contact et l'adresse e-mail dans le formulaire de devis rapide à droite. Notre représentant commercial vous contactera dans les 12 heures.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BUK768R3-60E | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | NEXPERIA |
| Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Additional Feature | AVALANCHE RATED |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 86 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
| Drain Current-Max (ID) | 75 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0083 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 245 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 349 A | Reference Standard | AEC-Q101; IEC-60134 |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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BUK768R3-60E is a chip designed for power management applications. It is a power MOSFET device that can handle high currents and voltages up to 60V. The chip offers low on-resistance, high efficiency, and excellent thermal performance. It is commonly used in various industrial and consumer electronics applications such as motor control, power supplies, and LED lighting.
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Features
The BUK768R3-60E is a N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a high voltage rating of 600V, a maximum drain current of 14A, and low gate charge for fast switching applications. It has a compact TO-220 package and is suitable for a wide range of high power switching applications. -
Pinout
The BUK768R3-60E is a power transistor with a TO-220AB package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). It is designed for high switching speeds and can handle continuous currents up to 60A. Its main function is to control and switch high-power loads in various electronic applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the BUK768R3-60E is NXP Semiconductors. It is a Dutch global semiconductor manufacturer that provides a wide range of semiconductor products and solutions for various industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and more. -
Application Field
The BUK768R3-60E is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as motor control, power supplies, and inverters. It is suitable for high current and high voltage applications and is designed for low on-resistance and high switching speed. -
Package
The BUK768R3-60E chip is available in a TO-263-7L package. It has a form factor of Surface Mount and its size is approximately 9.90mm x 12.65mm x 3.40mm.
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