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C2M1000170D
Description: N-Channel MOSFET
Marques: Wolfspeed
Pièce Fabricant #: C2M1000170D
Fiche de données: C2M1000170D Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
Statut RoHS:
État des stocks: 6 597 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $6,969 | $6,969 |
| 10 | $6,174 | $61,740 |
| 30 | $5,689 | $170,670 |
| 100 | $5,283 | $528,300 |
En stock: 6 597 PC
C2M1000170D Description générale
N-Channel 1700 V 4.9A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-247-3
Caractéristiques
- Model: C2M1000170D
- Max Voltage: 1700V
- Max Continuous Drain Current: 100A
- RDS(on): 0.017Ω
- Fast Switching Speed
- Low Gate Charge
- High Frequency Operation
- Enhanced Efficiency
- RoHS Compliant
Application
- Power supply management
- Motor control
- Lighting control
- Battery management
- Temperature control
- Sensing applications
- Industrial automation
- Consumer electronics
- Communications equipment
- Medical devices
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | SiC |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.7 kV | Id - Continuous Drain Current | 4.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.4 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 5 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | Qg - Gate Charge | 13 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 69 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Wolfspeed | Configuration | Single |
| Fall Time | 9 ns | Forward Transconductance - Min | 0.82 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 46 ns |
| Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The C2M1000170D chip is a high-performance silicon carbide power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage. It is designed for use in high-power applications such as electric vehicles, renewable energy systems, and industrial drives. The chip offers improved efficiency and reliability compared to traditional silicon-based power devices.
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Equivalent
The equivalent products of C2M1000170D chip are Infineon Technologies CoolSiC MOSFETs, Cree Wolfspeed C2M MOSFETs, and ON Semiconductor SCT3xxxK series MOSFETs. These chips are suitable for high power applications due to their low switching losses and high efficiency. -
Features
C2M1000170D is a silicon carbide power MOSFET module with a maximum drain-source voltage of 1700V, a continuous drain current of 100A, and a package type of module. It has a low on-resistance, high switching speed, high temperature capability, and high thermal conductivity, making it suitable for high-power applications. -
Pinout
The C2M1000170D is a 1700V, 2 ohm silicon carbide MOSFET with a TO247-3 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the switching of the MOSFET, while the Drain and Source pins handle the flow of current. -
Manufacturer
C2M1000170D is manufactured by Cree, Inc. Cree is an American multinational manufacturer of lighting-class LEDs, lighting products, and semiconductor products for power and radio-frequency (RF) applications. They are known for their advancements in LED technology and are a leading provider of LED lighting solutions for a wide range of applications, including automotive, industrial, and commercial lighting. -
Application Field
The C2M1000170D MOSFET is commonly used in high-power applications such as automotive, industrial, and renewable energy systems. It is suitable for applications requiring high efficiency, fast switching, and high reliability, making it ideal for inverters, motor drives, power supplies, and solar inverters. -
Package
The C2M1000170D chip is available in a TO-247-3 package, a single form of die packaging, and a size of 10.50mm x 4.60mm, suitable for power electronic applications requiring high efficiency and reliability.
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