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$5000C2M0160120D
High-voltage MOSFET with low ON-state resistance of 160 milliohm
Marques: Wolfspeed
Pièce Fabricant #: C2M0160120D
Fiche de données: C2M0160120D Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 302 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ovaga dispose d'un stock important de C2M0160120D Single FETs, MOSFETs depuis Wolfspeed et nous garantissons qu'il s'agit de pièces originales et neuves provenant directement de Wolfspeed Nous pouvons fournir des rapports de tests de qualité pour C2M0160120D à votre demande. Pour obtenir un devis, remplissez simplement la quantité requise, le nom du contact et l'adresse e-mail dans le formulaire de devis rapide à droite. Notre représentant commercial vous contactera dans les 12 heures.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | SiC |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current | 17.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 196 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 5 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 32.6 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 125 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Wolfspeed | Configuration | Single |
| Fall Time | 7 ns | Forward Transconductance - Min | 4.1 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 12 ns |
| Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The C2M0160120D chip is a high-performance power module designed for electric vehicle charging, photovoltaic inverters, and other high voltage applications. It features low on-resistance and high switching frequency, making it ideal for efficient power conversion. The chip's compact design and superior thermal performance make it a reliable choice for demanding applications.
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Equivalent
The equivalent products of C2M0160120D chip are C2M0080120D and C2M0040120D. These are all silicon carbide power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics, suitable for high-power and high-frequency applications. -
Features
1. 120A continuous current rating 2. Low voltage drop 3. Fast switching speed 4. Reverse polarity protection 5. Overcurrent protection 6. High efficiency 7. Compact size 8. Designed for automotive applications -
Pinout
The C2M0160120D is a 4-pin SiC power MOSFET used for power conversion applications. Pin 1 is the gate, pin 2 is the source, pin 3 is the drain, and pin 4 is the source. It has a voltage rating of 1200V and a current rating of 24A. -
Manufacturer
The manufacturer of the C2M0160120D is Cree, Inc. Cree is an American manufacturer of semiconductor materials and devices primarily used in power and radio-frequency applications. They are known for their wide range of high-quality LED lighting products and semiconductor solutions for industrial, commercial, and consumer markets. -
Application Field
The C2M0160120D is commonly used in applications such as motor drives, solar inverters, UPS systems, and welding equipment that require high power density, high efficiency, and high switching frequencies. It is suitable for a wide range of power electronics applications that demand high performance and reliability. -
Package
The C2M0160120D chip is a silicon carbide power MOSFET that comes in a TO-247 package with a size of 11.6mm x 15.2mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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