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Microchip DN3525N8-G
Tape and Reel Packaged Silicon N-channel Transistor with 250V Voltage Rating
Marques: Microchip
Pièce Fabricant #: DN3525N8-G
Fiche de données: DN3525N8-G Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOT-89-3
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3474 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureDN3525N8-G Description générale
DN3525 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Caractéristiques
- High input impedance
- Low input capacitance
- Fast switching speeds
- Low on-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Id - Continuous Drain Current | 360 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 6 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W | Channel Mode | Depletion |
| Brand | Microchip Technology | Configuration | Single |
| Fall Time | 40 ns | Height | 1.6 mm |
| Length | 4.6 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 25 ns |
| Factory Pack Quantity | 2000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | FET |
| Width | 2.6 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The DN3525N8-G chip is an integrated circuit used for power management in electronic devices. It is designed to control and regulate voltage levels, providing efficient power distribution and protection. With its compact size and advanced features, the DN3525N8-G chip offers reliable performance and flexibility, making it suitable for a wide range of applications, such as smartphones, tablets, and portable devices.
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Equivalent
The equivalent products of DN3525N8-G chip include DN3525AL-G, DN3525AN8, and DN3525H8-G. -
Features
The DN3525N8-G is a power MOSFET with a drain-source voltage rating of 25V. It operates with a low on-resistance of 5.8mΩ. The MOSFET has a compact QFN package, making it suitable for space-constrained applications. -
Pinout
The DN3525N8-G is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with 8 pins. The specific pin functions may vary depending on the manufacturer, so it is recommended to consult the datasheet provided by the manufacturer for accurate information. -
Manufacturer
The manufacturer of the DN3525N8-G is a company called Diodes Incorporated. It is a semiconductor company that designs, manufactures, and supplies application-specific standard products within the broad discrete, logic, and mixed-signal semiconductor markets. -
Application Field
The DN3525N8-G is a high-performance N-channel MOSFET transistor. It can be used in various applications such as power management, switch-mode power supplies, motor control, audio amplifiers, and LED lighting. -
Package
The package type of the DN3525N8-G chip is DPAK, the form is Surface Mount, and the size is 6.7mm x 6.7mm.
Fiche de données PDF
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