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Microchip TN2524N8-G
TN2524N8-G is a N-type MOSFET designed to handle up to 0.36A of current at 240V with a SOT-89-3 package
Marques: Microchip
Pièce Fabricant #: TN2524N8-G
Fiche de données: TN2524N8-G Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOT-89-3
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2850 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureTN2524N8-G Description générale
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Caractéristiques
- Low threshold (2.0V max.)
- High input impedance
- Low input capacitance (125pF max.)
- Fast switching speeds
- Low on-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 240 V |
| Id - Continuous Drain Current | 360 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 6 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Microchip Technology | Configuration | Single |
| Fall Time | 20 ns | Forward Transconductance - Min | 300 mS |
| Height | 1.6 mm | Length | 4.6 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 10 ns | Factory Pack Quantity | 2000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | FET | Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | Width | 2.6 mm |
| Unit Weight | 0.001862 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Emballage
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Fiche de données PDF
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