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$5000DS1230Y-100+
The DS1230Y-100+ is a high-capacity nonvolatile SRAM solution with 256k memory
Marques: Analog Devices
Pièce Fabricant #: DS1230Y-100+
Fiche de données: DS1230Y-100+ Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: EDIP-28
type de produit: Mémoire
Statut RoHS:
État des stocks: 9 087 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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DS1230Y-100+ Description générale
The DS1230Y-100+ is a high-performance non-volatile SRAM chip designed for applications that demand reliable data storage without the need for a battery backup. With its large 128K capacity and unlimited write cycles, this chip provides robust and long-lasting data storage capabilities. Its nvSRAM technology ensures that data remains intact even in the event of power loss, making it an ideal choice for critical systems and industrial applications. With a fast 100ns access time, the DS1230Y-100+ delivers quick and efficient data retrieval, ensuring seamless operation in time-sensitive applications. Whether used in embedded systems, industrial equipment, or other demanding environments, this non-volatile SRAM chip offers a dependable solution for preserving essential data
Caractéristiques
- This device has been designed with ease of use in mind
- It features a user-friendly interface and easy-to-read display
- The DS12 is a highly reliable memory device, suitable for industrial applications
Application
- Powerful data storage solution
- Reliable performance in all industries
- Essential for critical applications
- Highly trusted data retention
- Versatile use in various systems
- Key component for industrial tech
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | NVRAM | Shipping Restrictions | Available in USA only. |
| RoHS | Details | Package / Case | EDIP-28 |
| Interface Type | Parallel | Memory Size | 256 kbit |
| Organization | 32 k x 8 | Data Bus Width | 8 bit |
| Access Time | 100 ns | Supply Voltage - Max | 5.5 V |
| Supply Voltage - Min | 4.5 V | Operating Supply Current | 85 mA |
| Minimum Operating Temperature | 0 C | Maximum Operating Temperature | + 70 C |
| Series | DS1230Y | Brand | Analog Devices / Maxim Integrated |
| Height | 9.4 mm | Length | 39.12 mm |
| Mounting Style | Through Hole | Operating Supply Voltage | 5 V |
| Product Type | NVRAM | Factory Pack Quantity | 12 |
| Subcategory | Memory & Data Storage | Type | NVSRAM |
| Width | 18.8 mm | Part # Aliases | DS1230Y 90-1230Y+100 |
| Unit Weight | 1 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The DS1230Y-100+ is a non-volatile, static RAM chip designed to retain data even when the power is turned off. It has a capacity of 256K x 8 bits and operates with a battery backup to ensure data retention. The chip is widely used in various electronic devices and applications requiring non-volatile memory storage.
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Equivalent
The equivalent products of DS1230Y-100+ chip are Dallas Semiconductor DS1230AB-100+, Maxim Integrated DS1230AB-100+, and ON Semiconductor M4T28-BR12SH1. These chips are functionally and pin compatible with the DS1230Y-100+ and can be used as alternatives in electronic circuits. -
Features
The DS1230Y-100+ is a 256K non-volatile SRAM with a 100ns access time, lithium energy source, and a 10-year minimum data retention period. It is designed for use in non-volatile memory applications where low power and low voltage operation are essential. Additionally, it has an industry-standard 28-pin DIP package. -
Pinout
The DS1230Y-100+ is a 28-pin ceramic DIP nonvolatile SRAM with a 10-year minimum data retention. It has a battery backup and a pin count of 28. The functions of the pins include data input/output, address input, chip enable, output enable, write protect, and power supply connections. -
Manufacturer
The DS1230Y-100+ is manufactured by Maxim Integrated Products. Maxim Integrated Products is a semiconductor company that designs, manufactures, and sells a broad range of analog and mixed-signal integrated circuits. They serve a variety of industries including automotive, communications, consumer, industrial, and computing markets with their high-performance products. -
Application Field
The DS1230Y-100+ is a nonvolatile SRAM (NVSRAM) which combines the high performance and fast access of a SRAM with the nonvolatile data storage capability of a ROM. It is commonly used in applications that require high-speed read and write operations with the ability to retain data in the event of a power loss, such as industrial automation, automotive systems, and gaming devices. -
Package
The DS1230Y-100+ chip is available in a 34-pin DIP (Dual Inline Package) form. The overall size of the chip is 16.5mm x 32.41mm, which includes the package dimensions. This package type allows for easy installation onto a circuit board.
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