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$5000IXFH26N50Q
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXFH26N50Q
Fiche de données: IXFH26N50Q Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 5 149 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFH26N50Q Description générale
Introducing the advanced IXFH26N50Q Power MOSFET from the Q-Class series, designed for high-performance applications where efficiency and reliability are key. With its low gate charge and robust construction, this HiPerFET™ device is ideal for both hard switching and resonant mode operations, delivering exceptional performance in a range of industrial settings. Whether you're looking for a MOSFET with a fast intrinsic diode or superior ruggedness, the IXFH26N50Q has you covered
Caractéristiques
- High-voltage withstand capability
- Ruggedized gate oxide structure
- Robust inductorless startup
Application
- High efficiency
- Versatile applications
- Cutting-edge design
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | HiPerFET™ | Package | Tube |
| Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 13A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) | Package / Case | TO-247-3 |
| Base Product Number | IXFH26 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXFH26N50Q is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high-speed, high-voltage switching applications. It operates at a voltage of 500V and can handle a continuous current of 26A. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and other industrial applications.
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Equivalent
Equivalent products of IXFH26N50Q chip include Infineon's IXFH20N50Q, IXFH22N50Q, and IXFH30N50Q. These are also MOSFET transistors with similar specifications and functionality. -
Features
IXFH26N50Q is a 500V, 26A, Q-Class HiPerFET power MOSFET with a low RDS(on) of 0.13 ohms. It is designed for high performance applications, offers low switching losses, fast switching speeds, and high frequency operation. It also has a rugged and reliable design for demanding industrial and power conversion applications. -
Pinout
The IXFH26N50Q is a 3-pin TO-247 package IGBT transistor with a pin count of 3, including gate, collector, and emitter pins. The function of this transistor is to act as a high voltage, high-speed switch used in power electronic applications such as motor drives, inverters, and power supplies. -
Manufacturer
The IXFH26N50Q is manufactured by IXYS Corporation, a company that specializes in the design, manufacture, and marketing of power semiconductors used in a variety of industries including telecommunications, industrial, medical, and consumer electronics. Their products are known for their reliability and efficiency in power conversion applications. -
Application Field
The IXFH26N50Q is a high power N-channel IGBT used in various power electronic applications such as motor drives, inverters, and power supplies. It is also suitable for industrial and commercial applications where high efficiency, fast switching, and high current handling capabilities are required. -
Package
The IXFH26N50Q chip comes in a TO-247 package. It is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a standard through-hole form and a size of approximately 20.32mm x 9.91mm x 4.32mm.
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