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FQP7N80C
High-performance Power MOSFET in a TO-220 package, suitable for N-Channel operation with a current rating of 7 A and a low on-resistance of 1.9 Ω
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FQP7N80C
Fiche de données: FQP7N80C Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-220-3
Statut RoHS:
État des stocks: 5 921 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,225 | $1,225 |
| 10 | $1,053 | $10,530 |
| 30 | $0,958 | $28,740 |
| 100 | $0,851 | $85,100 |
| 500 | $0,803 | $401,500 |
| 1000 | $0,783 | $783,000 |
En stock: 5 921 PC
FQP7N80C Description générale
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Caractéristiques
- 6.6A, 800V, RDS(on) = 1.9Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 3.3A
- Low gate charge ( Typ. 27nC)
- Low Crss ( Typ. 10pF)
- 100% avalanche tested
Application
- Desktop PC
- AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V | Id - Continuous Drain Current | 6.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.9 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | Qg - Gate Charge | 35 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 167 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | QFET | Series | FQP7N80C |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 60 ns | Forward Transconductance - Min | 5.5 S |
| Height | 16.3 mm | Length | 10.67 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 100 ns |
| Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time | 35 ns |
| Width | 4.7 mm | Part # Aliases | FQP7N80C_NL |
| Unit Weight | 0.068784 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FQP7N80C is a power MOSFET chip commonly used in electronic circuits. It is designed for high power applications, offering low on-resistance and high switching speed. The chip can handle a maximum drain current of 7A and has a voltage rating of 800V. Its compact design and efficient performance make it suitable for various power conversion and control applications.
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Equivalent
The equivalent products of the FQP7N80C chip would include other power MOSFETs with similar specifications and features from various manufacturers such as IRF, Infineon, or STMicroelectronics. Some potential alternatives could be IRFP260N, IPW65R045C7, or STP9NK90Z. -
Features
The FQP7N80C is a power MOSFET transistor with a maximum drain current of 7A, a maximum voltage of 800V, and a low on-resistance. It features a fast switching speed, high reliability, and is ideal for use in high power applications such as switching regulators and high-voltage motor drives. -
Pinout
The FQP7N80C is a power MOSFET transistor with a pin count of three. Its pinout includes a gate pin (G), a drain pin (D), and a source pin (S). The function of this transistor is to control and amplify electrical signals in power applications like switching devices and motor control circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQP7N80C is Fairchild Semiconductor. It is a multinational company that specializes in the design, manufacture, and distribution of electronic components used in a wide range of applications including power and signal management, energy-efficient solutions, and mobile devices. -
Application Field
The FQP7N80C is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as power supplies, motor control, lighting systems, and electronic switches. It is designed to handle high voltage and current, making it suitable for applications that require efficient power management and control. -
Package
The FQP7N80C chip is a MOSFET transistor with a TO-220 package type. It has a form factor of single-ended and a size of approximately 10.2mm x 5.3mm x 4.6mm.
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