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FQT3P20TF
P-Channel 200 V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Marques: ONSEMI
Pièce Fabricant #: FQT3P20TF
Fiche de données: FQT3P20TF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-223-4
Statut RoHS:
État des stocks: 5 625 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,862 | $0,862 |
| 10 | $0,727 | $7,270 |
| 30 | $0,659 | $19,770 |
| 100 | $0,591 | $59,100 |
| 500 | $0,552 | $276,000 |
| 1000 | $0,531 | $531,000 |
En stock: 5 625 PC
FQT3P20TF Description générale
The FQT3P20TF is a cutting-edge P-Channel enhancement mode power MOSFET that showcases ON Semiconductor's innovative planar stripe and DMOS technology. Engineered to minimize on-state resistance and deliver top-notch switching capabilities, this MOSFET is designed for optimal performance and high resilience against avalanche energy. Whether you're working on switched mode power supplies, audio amplifiers, DC motor control, or variable switching power applications, the FQT3P20TF is the ideal solution for your needs
Caractéristiques
- Low power consumption, high efficiency
- Fast switching frequency, high reliability
- Robust construction, long lifespan
- Easy installation, simple maintenance
- High precision, accurate measurement
- Durable design, reliable performance
Application
- Engineering
- Manufacturing
- Construction
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FQT3P20TF | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Lifetime Buy | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Manufacturer Package Code | 318H-01 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 16 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | onsemi | Avalanche Energy Rating (Eas) | 150 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 200 V | Drain Current-Max (ID) | 0.67 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 2.7 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G4 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 4 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 2.5 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 2.7 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FQT3P20TF chip is a power MOSFET device designed to control current flow in electronic circuits. It features a low on-resistance and high switching speed, making it suitable for various applications, including power management and motor control. This chip is commonly used in automotive and industrial sectors, where efficient power control is essential.
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Features
The FQT3P20TF is a high-voltage N-channel MOSFET with a low on-resistance and low gate charge. It is designed for applications requiring high efficiency and compact designs. With its advanced features, it offers improved power handling, high-speed switching, and enhanced thermal performance. -
Pinout
The FQT3P20TF is a 20-pin power MOSFET transistor with three P-channel enhancement-mode transistors. Its pin count and function are specific to its packaging and manufacturer, and may vary. Please refer to the datasheet or manufacturer's documentation for detailed information. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQT3P20TF is ON Semiconductor. It is a global semiconductor company that designs and produces a wide range of innovative power and signal management, logic, and discrete devices for various industries including automotive, communications, computing, industrial, medical, and consumer. -
Application Field
The FQT3P20TF is a power field-effect transistor (FET) specifically designed for high-frequency applications. It can be used in various applications including RF amplification, small signal switching, and other high-speed switching applications. -
Package
The FQT3P20TF chip is packaged in a TO-220F form factor, which is a through-hole package commonly used for high power applications. The size of the chip package is approximately 10.16mm x 15.87mm x 4.8mm (0.4" x 0.625" x 0.189").
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