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HGTG30N60A4D
600V, SMPS IGBT
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: HGTG30N60A4D
Fiche de données: HGTG30N60A4D Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $7,287 | $7,287 |
| 10 | $6,438 | $64,380 |
| 30 | $5,921 | $177,630 |
| 90 | $5,212 | $469,080 |
En stock: 9 458 PC
HGTG30N60A4D Description générale
The HGTG30N60A4D is a MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49343. The diode used in anti-parallel is the development type TA49373. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies. Formerly Developmental Type TA49345.
Caractéristiques
- 100kHz Operation at 390V, 30A
- 200kHz Operation at 390V, 18A
- 600V Switching SOA Capability
- Typical Fall Time. . . . . . . . . . 60ns at TJ = 125&°C
- Low Conduction Loss
- Temperature Compensating SABER™Model
Application
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Package / Case | TO-247-3 | Mounting Style | Through Hole |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 70 A | Pd - Power Dissipation | 463 W |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | HGTG30N60A4D | Brand | onsemi / Fairchild |
| Continuous Collector Current | 75 A | Continuous Collector Current Ic Max | 75 A |
| Gate-Emitter Leakage Current | +/- 250 nA | Height | 20.82 mm |
| Length | 15.87 mm | Product Type | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 450 | Subcategory | IGBTs |
| Width | 4.82 mm | Part # Aliases | HGTG30N60A4D_NL |
| Unit Weight | 0.225401 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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Paiement
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Emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Points de pièce
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HGTG30N60A4D is a chip that belongs to the IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) family. It is specifically designed for high-voltage applications and offers low conduction and switching losses. HGTG30N60A4D chip enables efficient power conversion in various electronic devices, including inverters, motor drives, and power supplies. It provides reliable performance with excellent thermal characteristics, making it suitable for demanding applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the HGTG30N60A4D chip include the IRGPS60B120KDPbF, IGBT30N60A4H, and the HGTP30N60AFD. These chips provide similar functionality and can be used as substitutes for the HGTG30N60A4D in various applications. -
Features
The HGTG30N60A4D is a high voltage IGBT designed for use in switching applications. It has a current rating of 30A, a voltage rating of 600V, and a low saturation voltage. It offers low on-state losses, fast switching speeds, and is suitable for high frequency operation. It also includes built-in thermal protection and is housed in a TO-247 package. -
Pinout
The HGTG30N60A4D is a 30A IGBT power module. It has 7 pins with the following functions: 1. G: Gate control 2. G: Gate control 3. C: Collector of the IGBT 4. E: Emitter of the IGBT 5. F: Collector of the free-wheeling diode 6. F: Collector of the free-wheeling diode 7. E: Emitter of the free-wheeling diode -
Manufacturer
The manufacturer of the HGTG30N60A4D is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products, including power semiconductors, microcontrollers, sensors, and automotive electronics. -
Application Field
The HGTG30N60A4D is a high voltage transistor commonly used in various power applications such as motor control, power supplies, and inverters. Its robust design and ability to handle high voltage and current make it suitable for demanding industrial and automotive applications. -
Package
The HGTG30N60A4D chip is available in a TO-247 package type, with a transistor form. As for the size, it follows the industry standard TO-247 dimensions, which measure approximately 26.16mm x 15.9mm x 5.5mm.
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