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IDH04G65C5
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC, TO-220, 2 PIN
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IDH04G65C5
Fiche de données: IDH04G65C5 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-220-2
Statut RoHS:
État des stocks: 7 364 pièces, nouveau original
type de produit: Single Diodes
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $2,285 | $2,285 |
| 200 | $0,884 | $176,800 |
| 500 | $0,854 | $427,000 |
| 1000 | $0,838 | $838,000 |
En stock: 7 364 PC
IDH04G65C5 Description générale
The IDH04G65C5 is a cutting-edge product from Infineon, offering a new level of performance in the realm of Schottky diodes. With a voltage rating of 600V and a current rating of 2A, this diode is designed to excel in a variety of applications. The innovative technology behind this diode includes Infineon's proprietary diffusion soldering process, which has been enhanced in this fifth generation product. This process, combined with a more compact design and thin wafer technology, results in a product line that boasts improved efficiency across all load conditions. The thermal characteristics have been optimized for better performance, and the figure of merit (Q c x V f) has been lowered to enhance overall functionality
Caractéristiques
- Vbr at 650V
- Improved Figure of Merit (Qc x Vf)
- No reverse recovery charge
- Soft switching reverse
- recovery waveform
- Temperature independent
- switching behavior
- High operating temperature
- (Tj max 175°C)
- Improved surge capability
- Pb-free lead plating
- 10 years manufacturing of SiC diodes
- Benefts
- Higher safety margin against
- Overvoltage; best match with
- CoolMOS™ 650V products
- Improved efciency over all
- load conditions
- Increased efciency compared to
- Silicon Diode alternatives
- Reduced EMI compared to snappier
- Silicon diode reverse recovery
- waveform
- Highly stable switching performance
- Reduced cooling requirements
- Reduced risks of thermal runaway
- RoHS compliant
- High quality know-how and capacity
- in SiC diode manufacture
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | CoolSiC™+ | Package | Tube |
| Product Status | Discontinued at Digi-Key | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 140 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 | Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Emballage
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Étape1 :Produit
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