Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000
vishay SI2305CDS-T1-GE3
Ideal for Amplification and Switching Applications
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI2305CDS-T1-GE3
Fiche de données: SI2305CDS-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 5 | $0,085 | $0,425 |
| 50 | $0,074 | $3,700 |
| 150 | $0,069 | $10,350 |
| 500 | $0,062 | $31,000 |
| 3000 | $0,059 | $177,000 |
| 6000 | $0,057 | $342,000 |
En stock: 9 458 PC
SI2305CDS-T1-GE3 Description générale
The SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET stands out for its impressive performance characteristics, including a continuous drain current of -5.8A and a drain-source voltage of -8V. With an on resistance of 28mohm and a maximum power dissipation of 960mW, this P-channel transistor operates reliably in temperatures ranging from -55°C to +150°C. The SOT-23 package style, with 3 pins, offers a compact and efficient design for a wide range of applications. Despite not containing any SVHC, this transistor can handle a maximum voltage of 8V, making it suitable for demanding circuit requirements
Caractéristiques
Application
Load Switch for Portable Devices |DC/DC ConverterCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5.8 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 35 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 12 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 10 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 20 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
SI2305CDS-T1-GE3 is a chip that belongs to the NVM N-Channel MOSFET family. It is designed with a standard ON resistance of 0.046 ohms and a maximum drain current of 3 A. The chip offers enhanced performance and reliability for power management applications, providing efficient power handling capabilities.
-
Equivalent
Some equivalent products to the SI2305CDS-T1-GE3 chip are the SI2305BDS-T1-GE3, SI2305DDS-T1-GE3, and SI2305EDS-T1-GE3. These chips have similar specifications and functionality, making them suitable alternatives for the SI2305CDS-T1-GE3. -
Features
The SI2305CDS-T1-GE3 is a small-signal MOSFET transistor with a low on-resistance and low threshold voltage. It has a compact SOT-23 surface-mount package and is suitable for a wide range of applications such as switching, amplification, and voltage regulation. -
Pinout
The SI2305CDS-T1-GE3 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pin functions include Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2305CDS-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, an American semiconductor company. -
Application Field
The SI2305CDS-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor (FET) that is commonly used in applications such as low voltage switching, power management, and amplification circuits. It is suitable for use in various electronic devices like smartphones, tablets, and portable electronics due to its compact size and low power consumption. -
Package
The SI2305CDS-T1-GE3 chip is packaged in a SOT-23 form factor. The SOT-23 package has three pins and small dimensions of approximately 2.94mm x 1.30mm x 1.30mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
