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Infineon IDW30G65C5 48HRS

High Voltage Schottky Diode with 30A Current Rating and TO-247 Housing

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon

Pièce Fabricant #: IDW30G65C5

Fiche de données: IDW30G65C5 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-247

Statut RoHS:

État des stocks: 9 720 pièces, nouveau original

type de produit: Single Diodes

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $20,832 $20,832
200 $8,062 $1612,400
500 $7,778 $3889,000
1000 $7,638 $7638,000

En stock: 9 720 PC

- +

Citation courte

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IDW30G65C5 Description générale

The IDW30G65C5 diode is a reliable and durable component that is built to withstand high temperatures and harsh operating conditions. Its TO-247 package provides mechanical stability and ease of mounting, making it a popular choice for various industrial and automotive applications

Caractéristiques

  • Vbr at 650V
  • Improved Figure of Merit (Qc x Vf)
  • No reverse recovery charge
  • Soft switching reverse
  • recovery waveform
  • Temperature independent
  • switching behavior
  • High operating temperature
  • (Tj max 175°C)
  • Improved surge capability
  • Pb-free lead plating
  • 10 years manufacturing of SiC diodes
  • Benefts
  • Higher safety margin against
  • Overvoltage; best match with
  • CoolMOS™ 650V products
  • Improved efciency over all
  • load conditions
  • Increased efciency compared to
  • Silicon Diode alternatives
  • Reduced EMI compared to snappier
  • Silicon diode reverse recovery
  • waveform
  • Highly stable switching performance
  • Reduced cooling requirements
  • Reduced risks of thermal runaway
  • RoHS compliant
  • High quality know-how and capacity
  • in SiC diode manufacture

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer Infineon Product Category Schottky Diodes & Rectifiers
RoHS Details Product Schottky Silicon Carbide Diodes
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Configuration Single Technology SiC
If - Forward Current 30 A Vrrm - Repetitive Reverse Voltage 650 V
Vf - Forward Voltage 1.8 V Ifsm - Forward Surge Current 165 A
Ir - Reverse Current 6.1 uA Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Series CoolSiC
Tradename CoolSiC Brand Infineon Technologies
Pd - Power Dissipation 150 W Product Type Schottky Diodes & Rectifiers
Factory Pack Quantity 240 Subcategory Diodes & Rectifiers
Part # Aliases SP000937052 IDW30G65C5FKSA1 Unit Weight 1.340411 oz
Package Tube Product Status Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V Current - Average Rectified (Io) 30A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 30 A Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr 1.1 mA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F 860pF @ 1V, 1MHz Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Base Product Number IDW30G65

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IDW30G65C5 is a power semiconductor chip designed for high frequency and high efficiency applications. It is commonly used in switch mode power supplies, motor control, and other high voltage applications. The chip features low conduction and switching losses, making it suitable for power electronics in various industrial and consumer electronic devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of the IDW30G65C5 chip are the Infineon FF1650R17IE4 and FF300R17KE3. These chips feature similar specifications and can be used as substitute options for the IDW30G65C5 in various applications such as power electronics and motor control.
  • Features

    The IDW30G65C5 is a 650V Super Junction Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) that offers low conduction and switching losses for high efficiency power conversion applications. It features a 30A continuous collector current, 120A pulsed collector current, and an ultra-low saturation voltage for improved performance and reliability.
  • Pinout

    The IDW30G65C5 is a 650V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET with a TO-247-4 pin configuration. It has 3 pins - gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin is used to control the switching of the MOSFET, while the drain pin carries the main current flow, and the source pin serves as the reference potential.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IDW30G65C5 is Infineon Technologies AG. Infineon Technologies is a semiconductor manufacturer that specializes in power and chip solutions for various applications, including automotive, industrial, and consumer electronics. They are a multinational company with headquarters in Germany and a global presence in the semiconductor industry.
  • Application Field

    The IDW30G65C5 is a silicon carbide power module suitable for applications such as motor drives, renewable energy systems, and industrial power supplies. Its high power density, high frequency capability, and robustness make it ideal for use in electric vehicles, solar inverters, and other high-power applications requiring efficient and reliable power conversion.
  • Package

    The IDW30G65C5 chip comes in a TO-247 package type, with a transistor form. The size of the chip is also 29.0mm x 11.0mm, making it suitable for power applications.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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