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$5000Infineon IGW30N100T
1000V IGBT capable of handling 60A current, packaged in TO-247-3
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IGW30N100T
Fiche de données: IGW30N100T Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: Single IGBTs
Statut RoHS:
État des stocks: 8 874 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IGW30N100T Description générale
In summary, the IGW30N100T N-channel IGBT offers a comprehensive solution for high voltage and high-speed switching needs in industrial and automotive environments. Its advanced features, including high voltage tolerance, low saturation voltage, fast switching speed, and built-in diode protection, ensure optimal performance and reliability in a variety of applications where efficiency and precision are paramount
Caractéristiques
- High efficiency and reliability
- Fast switching and low loss
- Rugged design for harsh environments
- Safe operation up to 175°C
- Compact and lightweight package
- Precise temperature control ensured
Application
- UPS power backup systems
- Welding machine controls
- Motor drive circuits
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.55 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 60 A |
| Pd - Power Dissipation | 412 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | Series | TRENCHSTOP IGBT |
| Brand | Infineon Technologies | Continuous Collector Current Ic Max | 30 A |
| Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA | Product Type | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 240 | Subcategory | IGBTs |
| Tradename | TRENCHSTOP | Part # Aliases | IGW3N1TXK SP000380845 IGW30N100TFKSA1 |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IGW30N100T is a power transistor chip designed for high-voltage applications, capable of handling up to 30A of current and 1000V of voltage. It is commonly used in power supplies, motor controls, and other industrial applications that require high power handling capabilities.
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Equivalent
The equivalent products of the IGW30N100T chip are IRG4BC40UPBF, IHF90N03T, and STG30NC60WD. -
Features
IGW30N100T is a high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a voltage rating of 1000V and a current rating of 30A. It features low on-state voltage drop, fast switching speed, and high ruggedness, making it suitable for a wide range of industrial applications. -
Pinout
IGW30N100T is a IGBT module with a pin count of 13. It is used for high power switching applications in motor control and power supplies. The functions of the pins include gate, collector, emitter, and auxiliary connections for gate driver and temperature sensing. -
Manufacturer
IGW30N100T is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturer. Infineon specializes in the production of power semiconductors, security systems, sensors, and microcontrollers for automotive, industrial, and consumer electronics applications. -
Application Field
The IGW30N100T is primarily used in applications such as power supplies, motor control, and high-voltage systems where high efficiency and power handling capabilities are required. It is commonly used in industries like telecommunications, industrial automation, and renewable energy systems. -
Package
The IGW30N100T is a TO-247AD package type insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip with a form factor of tube. It measures 15mm x 3.75mm x 21.5mm in size.
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