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Infineon IPD640N06LG

TO-252 MOSFETs ROHS

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon

Pièce Fabricant #: IPD640N06LG

Fiche de données: IPD640N06LG Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: DPAK (TO-252)

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 3 528 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IPD640N06LG ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IPD640N06LG Description générale

The IPD640N06LG is a 60V N-channel power MOSFET designed for high-performance applications requiring low on-resistance and high efficiency. It features a maximum drain-source voltage of 60V, a continuous drain current of 120A, and a low on-resistance of 0.006 ohms.This MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, which provides efficient heat dissipation and allows for easy mounting on a PCB. It also features a maximum junction temperature of 175°C, ensuring reliable operation under high-temperature conditions.The IPD640N06LG is suitable for a wide range of applications, including power supplies, motor controls, LED lighting, and battery management systems. Its low on-resistance helps reduce power losses and improve overall system efficiency, making it ideal for high-power and high-frequency switching applications.

ipd640n06lg

Caractéristiques

  • Low Gate Charge
  • Enhanced Pd Performance
  • Improved dV/dt Capability
  • Key Parameters for Ruggedness
  • Low RDS(on)
  • 100% Avalanche Tested

Application

  • Power supplies
  • DC-DC converters
  • Voltage regulators
  • Battery chargers
  • Motor control
  • Inductive load drivers
  • Switching circuits
  • Automotive electronics
  • LED lighting
  • Industrial automation

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
IDpuls max 72.0 A VGS(th) max 2.0 V
VGS(th) min 1.2 V Ptot max 47.0 W
VDS max 60.0 V ID max 18.0 A
Package DPAK (TO-252) Polarity N
Operating Temperature max 175.0 °C Operating Temperature min -55.0 °C
RDS (on) max 85.0 mΩ

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Pièces équivalentes

Pour le IPD640N06LG composant, vous pouvez envisager ces pièces de rechange et alternatives:

Numéro d'article

Marques

Emballer

Description

Numéro d'article :   FDP640N06LZ

Marques :  

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Description :  

Numéro d'article :   IRF640N

Marques :  

Emballer :  

Description :  

Numéro d'article :   STP80NF06L

Marques :  

Emballer :  

Description :  

Numéro d'article :   RFP60N06LE

Marques :  

Emballer :  

Description :  

Numéro d'article :   AOT640N06L

Marques :  

Emballer :  

Description :  

Numéro d'article :   PSMN4R0-60YS

Marques :  

Emballer :  

Description :  

Numéro d'article :   HUF75344G3

Marques :  

Emballer :   TO-247

Description :   75A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs75A, 55V, 0.008 Ω,N,UltraFETMOS

Numéro d'article :   NDP6020P

Marques :  

Emballer :  

Description :  

Points de pièce

  • The IPD640N06LG is a power MOSFET chip designed for high performance and efficiency in electronic applications. It offers a low on-resistance and high current capability, making it suitable for use in power management circuits, motor controls, and other power electronics systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of IPD640N06LG chip are IRF644, IRF640, IRF644A, BUZ100, and HUF76113P3. These chips are all N-channel MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    - Fast switching speed - Low on-resistance - Low gate charge - High ruggedness - Suitable for synchronous rectification, motor control, and general-purpose switching applications
  • Pinout

    The IPD640N06LG is a 6-pin OptiMOS power MOSFET. It is a logic level gate input device with a maximum drain current of 240A. The pins are typically used for gate (G), drain (D), and source (S) connection.
  • Manufacturer

    The IPD640N06LG is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturer. Infineon is a leading company in the field of power semiconductors, specializing in components for energy efficiency, mobility, and security. They produce a wide range of products including power MOSFETs, IGBTs, and sensors for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The IPD640N06LG is a power MOSFET transistor commonly used in automotive, industrial, and power supply applications. It is ideal for use in DC-DC converters, motor control, switching regulators, and power management systems due to its high power handling capabilities and efficient switching performance.
  • Package

    The IPD640N06LG is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip that comes in a TO-252 package with a through-hole mounting style. It is designed in a single N-channel configuration and has a size of 3.73mm x 6.57mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire IPD640N06LG PDF Télécharger

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  • Produit

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    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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