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$5000Infineon IRF7905PBF
Infineon's IRF7905PBF is a Dual N-Channel MOSFET Transistor in an 8-Pin SOIC package, capable of handling up to 7
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IRF7905PBF
Fiche de données: IRF7905PBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: 8-SO
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Statut RoHS:
État des stocks: 7 099 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRF7905PBF Description générale
The IRF7905PBF is a powerful P-channel HEXFET power MOSFET that is well-suited for a range of applications such as battery management, power supplies, and motor control. Its impressive -30V drain-source voltage rating and -4.3A continuous drain current rating make it a reliable choice for low to medium power applications. Additionally, with a low on-state resistance of 175mΩ, this MOSFET offers exceptional efficiency and minimal power dissipation, making it ideal for applications that require high switching speeds and minimal heat generation. The compact powerPAK SO-8 package ensures easy mounting and reliable operation in various environments, while the high-temperature operation rating of up to 175°C guarantees stable performance even under extreme conditions. Moreover, the IRF7905PBF also boasts a fast switching speed and high output capacitance, making it suitable for applications that demand precise control and dependable operation
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Infineon | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 7.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 21.3 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.25 V | Qg - Gate Charge | 4.6 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 2 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Infineon Technologies | Configuration | Dual |
| Fall Time | 3.4 ns | Forward Transconductance - Min | 15 S, 18 S |
| Height | 1.75 mm | Length | 4.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 8.3 ns, 9.3 ns |
| Factory Pack Quantity | 95 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Type | HEXFET Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 6.9 ns, 8.1 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5.2 ns, 6.2 ns |
| Width | 3.9 mm | Part # Aliases | SP001560078 |
| Unit Weight | 0.019048 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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Emballage
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