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Infineon IRF9Z24NPBF 48HRS

Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon

Pièce Fabricant #: IRF9Z24NPBF

Fiche de données: IRF9Z24NPBF Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-220-3

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
5 $0,326 $1,630
50 $0,233 $11,650
150 $0,207 $31,050
500 $0,177 $88,500
2000 $0,164 $328,000
5000 $0,156 $780,000

En stock: 9 458 PC

- +

Citation courte

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IRF9Z24NPBF Description générale

The IRF9Z24NPBF from Infineon Technologies is a powerful N-channel power MOSFET transistor that is an excellent choice for high-performance applications. With a voltage rating of 55V and a continuous drain current of 12A, this transistor is capable of handling a wide range of tasks with ease. Its low on-resistance of 0.14 ohms ensures efficient power conduction, minimizing power loss and maximizing performance

Caractéristiques

  • High-reliability device
  • Fast switching performance
  • Low on-resistance rating
  • Robust operation temperature
  • Advanced circuit design
  • Suitable for motor control

Application

  • Energy-efficient lighting systems
  • Sleek industrial automation
  • Reliable motor drive circuits

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V Id - Continuous Drain Current: 12 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 175 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V Qg - Gate Charge: 12.7 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 45 W Channel Mode: Enhancement
Packaging: Tube Brand: Infineon Technologies
Configuration: Single Fall Time: 37 ns
Forward Transconductance - Min: 2.5 S Height: 15.65 mm
Length: 10 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 55 ns Factory Pack Quantity: 1000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 23 ns Typical Turn-On Delay Time: 13 ns
Width: 4.4 mm

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IRF9Z24NPBF is a power MOSFET transistor designed for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and other electronic systems. It features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for a wide range of power electronics applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of IRF9Z24NPBF chip are Infineon Technologies IPP042N08N5 and STMicroelectronics STP12NK60ZFP. These chips have similar specifications and performance characteristics, making them suitable substitutes for the IRF9Z24NPBF in various applications.
  • Features

    Some features of IRF9Z24NPBF include a high voltage rating of 200V, a low on-state resistance of 0.18 ohms, and a TO-220 package. It is a N-channel MOSFET suitable for switching applications in power supply, motor control, and LED lighting circuits.
  • Pinout

    The IRF9Z24NPBF is a N-channel power MOSFET with a TO-220AB package. It has three pins: gate (G), drain (D), and source (S). The pin functions are as follows: gate (control input), drain (output), and source (ground).
  • Manufacturer

    The IRF9Z24NPBF is manufactured by Infineon Technologies AG. Infineon is a German semiconductor manufacturer specializing in power management solutions, automotive electronics, and security products. They serve a wide range of industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The IRF9Z24NPBF is commonly used in power management applications such as motor control, DC-DC converters, and Class D audio amplifiers. It is also used in power supply systems and automotive electronics for its high power handling capabilities and low on-state resistance.
  • Package

    The IRF9Z24NPBF chip comes in a TO-220AB package type in a discrete form. The size of the chip is approximately 10.67mm x 19.56mm x 4.06mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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