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Infineon IRF9Z24NPBF
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IRF9Z24NPBF
Fiche de données: IRF9Z24NPBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-220-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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5 | $0,326 | $1,630 |
50 | $0,233 | $11,650 |
150 | $0,207 | $31,050 |
500 | $0,177 | $88,500 |
2000 | $0,164 | $328,000 |
5000 | $0,156 | $780,000 |
En stock: 9 458 PC
IRF9Z24NPBF Description générale
The IRF9Z24NPBF from Infineon Technologies is a powerful N-channel power MOSFET transistor that is an excellent choice for high-performance applications. With a voltage rating of 55V and a continuous drain current of 12A, this transistor is capable of handling a wide range of tasks with ease. Its low on-resistance of 0.14 ohms ensures efficient power conduction, minimizing power loss and maximizing performance
![](/files/uploads/product/b/913fdc29-55f1-43b1-8431-883ee136bbb5.webp)
Caractéristiques
- High-reliability device
- Fast switching performance
- Low on-resistance rating
- Robust operation temperature
- Advanced circuit design
- Suitable for motor control
Application
- Energy-efficient lighting systems
- Sleek industrial automation
- Reliable motor drive circuits
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V | Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 175 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | Qg - Gate Charge: | 12.7 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 45 W | Channel Mode: | Enhancement |
Packaging: | Tube | Brand: | Infineon Technologies |
Configuration: | Single | Fall Time: | 37 ns |
Forward Transconductance - Min: | 2.5 S | Height: | 15.65 mm |
Length: | 10 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 55 ns | Factory Pack Quantity: | 1000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
Width: | 4.4 mm |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IRF9Z24NPBF is a power MOSFET transistor designed for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and other electronic systems. It features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for a wide range of power electronics applications.
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Equivalent
The equivalent products of IRF9Z24NPBF chip are Infineon Technologies IPP042N08N5 and STMicroelectronics STP12NK60ZFP. These chips have similar specifications and performance characteristics, making them suitable substitutes for the IRF9Z24NPBF in various applications. -
Features
Some features of IRF9Z24NPBF include a high voltage rating of 200V, a low on-state resistance of 0.18 ohms, and a TO-220 package. It is a N-channel MOSFET suitable for switching applications in power supply, motor control, and LED lighting circuits. -
Pinout
The IRF9Z24NPBF is a N-channel power MOSFET with a TO-220AB package. It has three pins: gate (G), drain (D), and source (S). The pin functions are as follows: gate (control input), drain (output), and source (ground). -
Manufacturer
The IRF9Z24NPBF is manufactured by Infineon Technologies AG. Infineon is a German semiconductor manufacturer specializing in power management solutions, automotive electronics, and security products. They serve a wide range of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IRF9Z24NPBF is commonly used in power management applications such as motor control, DC-DC converters, and Class D audio amplifiers. It is also used in power supply systems and automotive electronics for its high power handling capabilities and low on-state resistance. -
Package
The IRF9Z24NPBF chip comes in a TO-220AB package type in a discrete form. The size of the chip is approximately 10.67mm x 19.56mm x 4.06mm.
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