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Infineon IRGP4650DPBF
Efficient and Compact Design for Space-Constrained Syste
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IRGP4650DPBF
Fiche de données: IRGP4650DPBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247AC-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $4,964 | $4,964 |
| 200 | $1,922 | $384,400 |
| 400 | $1,853 | $741,200 |
| 800 | $1,821 | $1456,800 |
En stock: 9 458 PC
IRGP4650DPBF Description générale
The IRGP4650DPBF is a high-performance insulated gate bipolar transistor designed for various applications requiring high current and voltage capabilities. With a maximum current rating of 76A and a breakdown voltage of 600V, this N-channel transistor is suitable for power switching and control tasks. The insulated gate technology used in this device allows for improved efficiency and reliability in high-power circuits
Caractéristiques
- Low VCE(ON) and switching losses
- Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C
- Positive VCE (ON) temperature coefficient and tight
- distribution of parameters
- 5µs Short Circuit SOA
- Lead-Free, RoHS Compliant
- Benefits
- High efficiency in a wide range of applications and switching
- Improved reliability due to rugged hard switching
- performance and high power capability
- Excellent current sharing in parallel operation
- Enables short circuit protection scheme
- Environmentally friendly
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | TO-247AC-3 | Mounting Style: | Through Hole |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 76 A | Pd - Power Dissipation: | 268 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Series: | Thyristor/Diode Module | Packaging: | Tube |
| Brand: | Infineon Technologies | Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Height: | 20.7 mm | Length: | 15.87 mm |
| Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 25 |
| Subcategory: | IGBTs | Tradename: | TRENCHSTOP |
| Width: | 5.31 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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IRGP4650DPBF is a high performance, 600V insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip with a current rating of 51A. It features low VCE(sat) voltage and high ruggedness, making it suitable for a wide range of applications such as motor control, power supplies, and renewable energy systems. This chip is designed for high efficiency and reliability in demanding industrial environments.
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Equivalent
The equivalent products of IRGP4650DPBF chip are the IRGP4063DPBF, IRGP4768DPBF, and IRGP4086DPBF power MOSFETs. These offer similar specifications and performance characteristics for use in various power applications. -
Features
IRGP4650DPBF is a high performance IGBT featuring a powerful co-packaged diode with low reverse recovery time. It has a breakdown voltage of 600V, a continuous collector current of 82A, and a low saturation voltage. This module is ideal for applications requiring high power and efficiency. -
Pinout
IRGP4650DPBF is a dual-gate IGBT with a pin count of 6. It has three emitter pins, two gate pins, and one collector pin. The function of this IGBT is to switch high currents while providing low on-state voltage drop, making it suitable for power switching applications. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of IRGP4650DPBF. It is a German semiconductor company specializing in power and sensor systems. They provide solutions for automotive, industrial, and consumer electronics, as well as renewable energy and smart grid technologies. -
Application Field
IRGP4650DPBF is commonly used in applications requiring high-speed switching, such as power supplies, motor controls, and inverters. It is also suitable for applications in welding equipment, induction heating, and high-frequency circuits. Additionally, it can be utilized in applications requiring high efficiency and performance in harsh environments. -
Package
The IRGP4650DPBF chip is a TO-247AC package type with a through-hole mounting form. It has a size of 10.67mm x 28.00mm x 4.57mm and is commonly used for power applications in electronic circuits.
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