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Infineon IRGP4750DPBF
The IRGP4750DPBF: An advanced semiconductor component comprising an N-channel IGBT Chip engineered for power circuitry
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IRGP4750DPBF
Fiche de données: IRGP4750DPBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247AC-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $10,396 | $10,396 |
| 200 | $4,023 | $804,600 |
| 500 | $3,883 | $1941,500 |
| 1000 | $3,813 | $3813,000 |
En stock: 9 458 PC
IRGP4750DPBF Description générale
The IRGP4750DPBF is a single IGBT with a high collector current rating of 70A, making it suitable for applications requiring high power handling capabilities. Its low collector emitter saturation voltage of 1.7V ensures efficient power conversion, while the high collector emitter voltage of 650V provides a wide margin of safety in high-voltage applications. The TO-247AC transistor case style allows for easy mounting and heat dissipation, further enhancing the reliability of the device in rugged operating conditions
Caractéristiques
- Low VCE(ON) and Switching Losses
- 5.5µs Short Circuit SOA
- Square RBSOA
- Maximum Junction Temperature 175°C
- Positive VCE (ON) Temperature Coefficient
- Lead-Free, RoHs compliant
- Benefits
- High Efficiency in a Wide Range of Applications
- Increased Reliability
- Excellent Current Sharing in Parallel Operation
- Rugged Transient Performance
- Environmentally friendly
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | TO-247AC-3 | Mounting Style: | Through Hole |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 70 A | Pd - Power Dissipation: | 273 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Series: | TRENCHSTOP | Packaging: | Tube |
| Brand: | Infineon Technologies | Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Height: | 20.7 mm | Length: | 15.87 mm |
| Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 25 |
| Subcategory: | IGBTs | Tradename: | TRENCHSTOP |
| Width: | 5.31 mm | Part # Aliases: | SP001546176 |
| Unit Weight: | 0.015027 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
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Emballage
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