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$5000Infineon IRLR7843TRLPBF
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IRLR7843TRLPBF
Fiche de données: IRLR7843TRLPBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: D-PAK
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 476 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRLR7843TRLPBF Description générale
With the IRLR7843TRLPBF, designers and engineers can benefit from a MOSFET that offers both high performance and environmental consciousness. Its wide range of applications, low on-state resistance, and reliable performance under high load conditions make it a versatile and practical component for various projects. Furthermore, its fast switching speeds and compact design add to its appeal, offering ease of integration and efficient operation
Caractéristiques
- This N-channel MOSFET has a low on-resistance and high efficiency
- Compact form factor for portable devices and space-constrained applications
- Suitable for power management, with reliable performance in harsh environments
- This product offers high power density and voltage rating up to 30V
- Reliable and efficient for use in portable devices and other applications
- This MOSFET has a low on-resistance and is designed for power management
Application
- Power management made easy
- Efficient voltage regulation
- Perfect for LED lighting
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Infineon | Product Category | MOSFET |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | DPAK-3 (TO-252-3) |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 161 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.3 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.3 V | Qg - Gate Charge | 50 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 140 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
| Fall Time | 19 ns | Forward Transconductance - Min | 37 S |
| Height | 2.3 mm | Length | 6.5 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 42 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Width | 6.22 mm |
| Unit Weight | 0.011640 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Emballage
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