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$5000IXKN45N80C
Trans MOSFET N-CH 800V 44A 4-Pin SOT-227B
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXKN45N80C
Fiche de données: IXKN45N80C Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-227-4
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXKN45N80C Description générale
These Power MOSFETs based on Super Junction technologyfeature the lowest RDS(on)in 600V-800V classMOSFETs. Internal DCB isolation simplifies assembly and reduces thermal resistance from junction to heat sink. These devices are Avalanche rated, thereby guaranteeing rugged operation.
Caractéristiques
- Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
- 3rd generation CoolMOS™
- (1)
- power MOSFET
- Enhanced total power density
- Low thermal resistance
Application
- Switch mode power supplies
- Uninterruptible power supplies
- Power factor correction (PFC)
- Welding
- Inductive heating
- Advantages:
- Easy assembly
- Space savings
- High power density
- (1)
- CoolMOS™ is a trademark ofInfineon Technologies AG.
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
Type: | CoolMOS Power MOSFET | Technology: | Si |
Vf - Forward Voltage: | 900 mV | Vr - Reverse Voltage: | 480 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 10 V | Mounting Style: | Chassis Mount |
Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | IXKN45N80 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 10 ns |
Height: | 12.22 mm | Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
Length: | 38.23 mm | Number of Channels: | 1 Channel |
Product Type: | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance: | 63 mOhms |
Rise Time: | 15 ns | Factory Pack Quantity: | 10 |
Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules | Tradename: | CoolMOS |
Transistor Polarity: | N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.9 V | Width: | 25.42 mm |
Unit Weight: | 1.058219 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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IXKN45N80C is a high voltage MOSFET chip used in power electronics applications. It has a maximum drain-source voltage of 800V and a current rating of 45A. The chip is designed for efficient power conversion and high reliability in demanding environments.
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Equivalent
Some equivalent products of the IXKN45N80C chip include the IRKH45F80, IXKH45N80C, and IXFN45N80. These chips are all high power insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) that can be used in various power applications including motor drives, inverters, and power supplies. -
Features
1. N-channel power MOSFET 2. 800V drain-source voltage 3. 45A continuous drain current 4. Low ON-resistance 5. High-speed switching 6. TO-247 package 7. Suitable for high power applications 8. Built-in diode for reverse voltage protection -
Pinout
The IXKN45N80C is a power MOSFET with a TO-264 package. It has a pin count of 3, which includes the gate, drain, and source. The function of the IXKN45N80C is to control the flow of electrical current in high-power applications. -
Manufacturer
IXKN45N80C is manufactured by IXYS Corporation, a company that specializes in the design, development, and manufacture of power semiconductors and integrated circuits. IXYS Corporation focuses on power control and conversion technology for the power management, motor control, and lighting industries. -
Application Field
The IXKN45N80C is a high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) commonly used in industrial applications such as motor drives, inverters, and power supplies. It is also suitable for applications in renewable energy systems, uninterruptible power supplies (UPS), and welding equipment due to its high current and voltage ratings. -
Package
The IXKN45N80C chip is available in a TO-3P package type with a through-hole mounting style. The chip itself is in a transistor form and has a size of approximately 10mm x 4mm x 4mm.
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