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ON MJD45H11-1G 48HRS

Bipolar Power DPAK PNP 8A 80V; Package: DPAK-3 SINGLE GAUGE; No of Pins: 4; Container: Rail; Qty per Container: 75

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: MJD45H11-1G

Fiche de données: MJD45H11-1G Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TO-251

Statut RoHS:

État des stocks: 2500 pièces, nouveau original

type de produit: Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $0,920 $0,920
10 $0,757 $7,570
30 $0,676 $20,280
75 $0,596 $44,700
525 $0,546 $286,650
975 $0,514 $501,150

In Stock:2500 PCS

- +

Citation courte

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MJD45H11-1G Description générale

The Power Bipolar Junction Transistor is designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

mjd45h11-1g

Caractéristiques

  • Complementary Pairs Simplifies Designs
  • Ideal for output stage of audio amplifier
  • Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix)
  • Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix)
  • Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount ("T4" Suffix)
  • Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series
  • Low Collector Emitter Saturation>
  • Fast Switching Speeds
  • NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Application

ONSEMI

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: ON Semiconductor Product Category: Bipolar Transistors - BJT
RoHS: Y Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: DPAK-3 Transistor Polarity: PNP
Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector- Base Voltage VCBO: 5 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V Maximum DC Collector Current: 8 A
Gain Bandwidth Product fT: 90 MHz Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Series: MJD45H11
Height: 6.35 mm Length: 6.73 mm
Packaging: Tube Width: 2.38 mm
Brand: ON Semiconductor Continuous Collector Current: 8 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 60 Pd - Power Dissipation: 20 W
Product Type: BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity: 75
Subcategory: Transistors Unit Weight: 0.012346 oz
Tags MJD45H11-1, MJD45H, MJD45, MJD4, MJD

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The MJD45H11-1G chip is a high-power, high-speed NPN transistor designed for a variety of applications in industrial and consumer electronics. It offers a high collector current capability, low saturation voltage, and fast switching times. This chip can be used in motor control, power management, and general-purpose amplification circuits. Overall, it provides efficient and reliable performance in high-demanding environments.
  • Equivalent

    There aren't any exact equivalent products to the MJD45H11-1G chip. However, similar alternatives may include the MJD45H11G, MJD45H11T4G, or MJD45H11T2G.
  • Features

    The MJD45H11-1G is a high voltage NPN power transistor with a 45A collector current capability. It has a fast switching speed and low saturation voltage, making it suitable for applications in power supplies, motor control, and other high current switching circuits. Additionally, it has a built-in flyback diode for protection against voltage spikes.
  • Pinout

    The MJD45H11-1G is a MOSFET transistor with 3 pins. The pin configuration and function are as follows: 1. Pin 1 (Emitter) - Controls the emitter current. 2. Pin 2 (Base) - Controls the current flow through the base-emitter junction. 3. Pin 3 (Collector) - Controls the collector current.
  • Manufacturer

    The MJD45H11-1G is manufactured by STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor and electronics company. They design, develop, and supply a wide range of products, including microcontrollers, sensors, power management solutions, and integrated circuits for various industries such as automotive, industrial, computer and consumer electronics.
  • Application Field

    The MJD45H11-1G is a NPN Darlington transistor designed for switching applications in the automotive industry, particularly for controlling motors, solenoids, and relays. It can also be used in industrial automation, robotics, and other applications that require high current and voltage switching capabilities.
  • Package

    The MJD45H11-1G chip is in a TO-252 package type, also known as a DPAK or SMT package. It has a single form, which is a standard surface-mounted device. The size of the chip is typically around 6.60mm x 6.10mm x 1.75mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire MJD45H11-1G PDF Télécharger

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  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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