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ON NJT4030PT1G

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 160MHz 2 W Surface Mount SOT-223 (TO-261)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: NJT4030PT1G

Fiche de données: NJT4030PT1G Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: SOT-223

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 3509 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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NJT4030PT1G Description générale

The combination of low saturation voltage and high gain makes this bipolar power transistor an ideal device for high speed switching applications where power saving is a concern.

Caractéristiques

  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • High DC Current Gain
  • High Current-Gain Bandwidth Product
  • NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable
  • These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Application

  • Voltage regulation
  • Power management for portable devices
  • Switching regulator
  • Inductive load driver

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Source Content uid NJT4030PT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Part Package Code SOT-223 (TO-261) 4 LEAD Package Description TO-261, 4 PIN
Pin Count 4 Manufacturer Package Code 0.0318
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 54 Weeks Samacsys Manufacturer onsemi
Case Connection COLLECTOR Collector Current-Max (IC) 3 A
Collector-Emitter Voltage-Max 40 V Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 100 JEDEC-95 Code TO-261AA
JESD-30 Code R-PDSO-G4 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 4 Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 160 MHz
feature-type PNP feature-category Bipolar Power
feature-material Si feature-configuration Single Dual Collector
feature-number-of-elements-per-chip 1 feature-maximum-collector-base-voltage-v 40
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v 40 feature-maximum-emitter-base-voltage-v 6
feature-maximum-dc-collector-current-a 3 feature-minimum-dc-current-gain [email protected]@1V|200@1A@1V|100@3A@1V
feature-maximum-power-dissipation-mw 2000 feature-maximum-transition-frequency-mhz 160(Typ)
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 4 feature-supplier-package SOT-223
feature-standard-package-name1 SOT feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection Yes feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc Yes
feature-svhc-exceeds-threshold Yes

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The NJT4030PT1G chip is a high-speed, low-power diode designed for use in amplifier circuits and other high frequency applications. Its small package size and low forward voltage drop make it suitable for use in portable electronic devices. The chip is manufactured by ON Semiconductor and offers excellent performance and reliability in demanding applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of NJT4030PT1G chip are BCP56-16T1G, BSS138LT1G, BSS84LT1G, BSS84P, BSS84PT1, NDT3055L, NDT3055L-1, NDT3055L-1G, PDTA123TT, PDTA123TK, and PDTA124TK.
  • Features

    The features of NJT4030PT1G include high-speed switching, low on-resistance, and low gate charge. It is an N-channel MOSFET transistor with a drain voltage rating of 30 volts and a continuous drain current rating of 11 amps. It is designed for use in power management applications.
  • Pinout

    The NJT4030PT1G is a dual N-channel logic level enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) with a pin count of 3. Pin 1 is the gate, pin 2 is the source, and pin 3 is the drain.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NJT4030PT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global supplier of semiconductors and other electronic components.
  • Application Field

    The NJT4030PT1G is a small signal NPN transistor commonly used in low-power applications such as amplifiers, switching circuits, and voltage regulators. It is suitable for general-purpose amplification tasks and low-frequency switching applications.
  • Package

    The NJT4030PT1G chip is packaged in a SOT-23 form factor. Its size measures approximately 2.9mm x 1.3mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire NJT4030PT1G PDF Télécharger

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  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

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