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$5000ON MGSF2N02ELT1G
N-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: MGSF2N02ELT1G
Fiche de données: MGSF2N02ELT1G Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 3 830 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MGSF2N02ELT1G Description générale
The MGSF2N02ELT1G is a N-Channel Mosfet with a drain-source voltage (Vds) of 20V and a continuous drain current (Id) of 2.8A. It is designed for surface mount installation and has a Rds(On) test voltage of 4.5V and a maximum gate-source threshold voltage of 500mV. This product is fully RoHS compliant, ensuring that it meets the latest environmental standards. It is available in a full reel packaging, making it suitable for high-volume production and manufacturing processes. The MGSF2N02ELT1G is a reliable and efficient choice for a wide range of applications, from consumer electronics to industrial equipment
Caractéristiques
- Elevated Temperature and Humidity Resistance
- Robust Construction against Mechanical Stress
- Excellent Electrical Characteristics
Application
- Enhanced Power Efficiency
- Power-saving Solutions
- Superior Power Performance
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Status | Active | CAD Models | |
| Compliance | PbAHP | Package Type | SOT-23-3 |
| Case Outline | 318-08 | MSL Type | 1 |
| MSL Temp (°C) | 260 | Container Type | REEL |
| Container Qty. | 3000 | ON Target | N |
| Channel Polarity | N-Channel | Configuration | Single |
| V(BR)DSS Min (V) | 20 | VGS Max (V) | 8 |
| VGS(th) Max (V) | 1 | ID Max (A) | 2.8 |
| PD Max (W) | 1.25 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | 115 |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 85 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | - |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | - | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 3.5 |
| Ciss Typ (pF) | 150 | Pricing ($/Unit) | $0.1033Sample |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | feature-configuration | Single | |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 20 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±8 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 2.8 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | [email protected] |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 3.5@4V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 150@5V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 1250 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | SOT-23 | feature-standard-package-name1 | SOT |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | No |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The MGSF2N02ELT1G is a power MOSFET chip designed for low voltage applications. It features a drain-source voltage of 20V and a continuous drain current of 2A. Its compact size and low on-resistance make it suitable for use in portable electronic devices, such as smartphones and tablets.
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Equivalent
Some equivalent products of the MGSF2N02ELT1G chip include the PH2133NL and PH2134NL MOSFETs. These products have similar specifications and can be used as alternatives in various applications. -
Features
MGSF2N02ELT1G is a surface-mount, N-channel MOSFET with a voltage rating of 20V and current rating of 2A. It features low on-resistance, fast switching capabilities, and a small package size (SOT-23-3). -
Pinout
The MGSF2N02ELT1G is a MOSFET transistor with a pin count of 2. It functions as a low voltage, small signal N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET), commonly used in electronic circuits for switching and amplification applications. -
Manufacturer
ON Semiconductor is the manufacturer of the MGSF2N02ELT1G. It is a multinational semiconductor manufacturing company that produces a wide range of electronic components, including power and signal management, logic, discrete, and custom devices. -
Application Field
The MGSF2N02ELT1G is a small-signal field-effect transistor (FET) commonly used in applications such as amplifiers, switches, and voltage regulators. It is commonly used in low-voltage circuits, portable electronic devices, and other applications where low power consumption and high performance are desired. -
Package
The MGSF2N02ELT1G chip comes in a surface-mount SOT-23 package. It has three pins and a size of approximately 2.94 mm x 1.3 mm x 1.3 mm.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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