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Commandes de plus de
$5000ST NAND08GW3B2CN6
Ideal for demanding applications requiring high density
Marques: Numonyx Memory Solutions
Pièce Fabricant #: NAND08GW3B2CN6
Fiche de données: NAND08GW3B2CN6 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TSOP48
type de produit: Mémoire
Statut RoHS:
État des stocks: 3 375 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NAND08GW3B2CN6 Description générale
NAND08GW3B2CN6 is a type of NAND Flash memory chip manufactured by Micron Technology. Here are some of its features:
Caractéristiques
- It has a capacity of 8 gigabits (1 gigabyte) and uses a 3-bit per cell (TLC) architecture.
- It uses a NAND interface and operates at a voltage range of 2.7V to 3.6V.
- It has a maximum program/erase cycle endurance of 3000 cycles and a retention time of up to 3 months at 85°C.
Application
- Consumer electronics such as smartphones, tablets, and portable media players.
- Solid-state drives (SSDs) used in desktops, laptops, and servers.
- Automotive applications such as infotainment systems and advanced driver-assistance systems (ADAS).
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | NAND08GW3B2CN6 | Rohs Code | No |
| Part Life Cycle Code | Transferred | Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS |
| Part Package Code | TSOP | Package Description | TSOP1, |
| Pin Count | 48 | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Access Time-Max | 35 ns | JESD-30 Code | R-PDSO-G48 |
| JESD-609 Code | e0 | Length | 18.4 mm |
| Memory Density | 8589934592 bit | Memory IC Type | FLASH |
| Memory Width | 8 | Number of Functions | 1 |
| Number of Terminals | 48 | Number of Words | 1073741824 words |
| Number of Words Code | 1000000000 | Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Operating Temperature-Max | 85 °C | Operating Temperature-Min | -40 °C |
| Organization | 1GX8 | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TSOP1 | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Parallel/Serial | PARALLEL |
| Programming Voltage | 3 V | Qualification Status | Not Qualified |
| Seated Height-Max | 1.2 mm | Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7 V | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3 V |
| Surface Mount | YES | Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL | Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Pitch | 0.5 mm |
| Terminal Position | DUAL |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Pièces équivalentes
Pour le NAND08GW3B2CN6 composant, vous pouvez envisager ces pièces de rechange et alternatives:
Numéro d'article
Marques
Emballer
Description
Numéro d'article : MT29F8G08ABACAH4-ITD
Marques :
Emballer :
Description :
Numéro d'article : H27UCG8T2ETR-BC
Marques :
Emballer :
Description :
Numéro d'article : K9F8G08U0B-PIB0
Marques :
Emballer :
Description :
Points de pièce
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The NAND08GW3B2CN6 is a NAND flash memory chip manufactured by Micron Technology. It offers 8 gigabytes of storage capacity and operates at high speeds for data storage and retrieval. This chip is commonly used in a variety of electronic devices such as smartphones, tablets, and solid-state drives.
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Equivalent
Some equivalent products of NAND08GW3B2CN6 chip are Toshiba TC58NYG0S3EBAI4, Micron MT29F8G08ABABAWP, Samsung K9GAG08U0E, and Hynix H27UCG8T2MYR. These chips are all compatible with NAND08GW3B2CN6 in terms of functionality and specifications. -
Features
NAND08GW3B2CN6 is a 8Gb NAND flash memory IC that features a page size of 16KB, a block size of 256 pages, a program/erase cycle endurance of 3000 cycles, and a supply voltage range of 2.7V to 3.6V. It also has a x8 I/O interface, a sequential read speed of up to 70MB/s, and a 3.3V Vccq voltage for the core circuit. -
Pinout
The NAND08GW3B2CN6 is an 8-channel NAND gate with a maximum input voltage of 3.6V. It has a pin count of 14, with the following functions: Pin 1 and 14 - VCC, Pin 2 and 13 - Output 1, Pin 3 and 12 - Output 2, Pin 4 and 11 - NAND input 1, Pin 5 and 10 - NAND input 2, Pin 6 and 9 - Enable, Pin 7 and 8 - GND. -
Manufacturer
The manufacturer of the NAND08GW3B2CN6 is Micron Technology, Inc. Micron is a multinational corporation specializing in the development and production of computer memory and data storage solutions. They are one of the leading providers of NAND flash memory, DRAM modules, and solid-state drives used in a variety of electronic devices. -
Application Field
The NAND08GW3B2CN6 is a NAND flash memory device commonly used in a variety of applications such as smartphones, tablet PCs, digital cameras, and solid-state drives. It is suitable for data storage in consumer electronics and computing devices that require high-speed and reliable storage solutions. -
Package
The NAND08GW3B2CN6 chip is a 8GB NAND flash memory chip. It comes in a TSOP-48 package type and has a form factor of BGA.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
