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ST NAND512W3A2BN6E
High-capacity storage for your devices, offering B of reliable data retentio
Marques: STMicroelectronics, Inc
Pièce Fabricant #: NAND512W3A2BN6E
Fiche de données: NAND512W3A2BN6E Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TSOP-1-48
Statut RoHS:
État des stocks: 3 817 pièces, nouveau original
type de produit: Mémoire
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $20,633 | $20,633 |
| 200 | $8,233 | $1646,600 |
| 576 | $7,958 | $4583,808 |
| 1152 | $7,822 | $9010,944 |
En stock: 3 817 PC
NAND512W3A2BN6E Description générale
FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 50 ns 48-TSOP
Caractéristiques
- It has a capacity of 512 megabytes.
- It uses a NAND interface for data transfer.
- It operates with a supply voltage of 2.7V to 3.6V.
- It has a page size of 2KB and a block size of 128 pages.
- It has a maximum data transfer rate of 52 megabytes per second.
Application
- Consumer Electronics: Used in devices such as smartphones, tablets, digital cameras, USB drives, and portable media players for data storage and firmware updates.
- Embedded Systems: Employed in embedded systems for program storage, configuration data, and firmware updates in applications such as industrial automation, automotive, and medical devices.
- Solid-State Drives (SSDs): Utilized as storage components in SSDs, providing high-speed data access and reliable storage for computers and servers.
- Networking Equipment: Found in network routers, switches, and servers for firmware storage and data caching.
- Industrial Control: Used in industrial control systems and automation equipment for program storage and data logging.
- Automotive Electronics: Employed in automotive applications for storing firmware, calibration data, and other non-volatile information.
- Smart Grid Systems: Utilized in energy metering and monitoring systems for data storage and firmware updates.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Name | NAND512W3A2BN6E | Manufacturer | Micron Technology |
| Memory Type | NAND Flash | Memory Size | 512 Mbit |
| Organization | 64M x 8 | Interface | Parallel |
| Supply Voltage | 2.7V to 3.6V | Access Time | 200 ns |
| Operating Temperature Range | -40°C to +85°C | Package / Case | TSOP-48 |
| Packaging | Tube |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Pièces équivalentes
Pour le NAND512W3A2BN6E composant, vous pouvez envisager ces pièces de rechange et alternatives:
Numéro d'article
Marques
Emballer
Description
Numéro d'article : K9K8G08U0A
Marques : Samsung
Emballer :
Description : This is a 512 megabit (64 megabyte) NAND Flash memory device with similar specifications to the NAND512W3A2BN6E. It utilizes SLC NAND technology and is available in various package types.
Numéro d'article : TC58NVG2S0HRAIG
Marques : Toshiba
Emballer :
Description : This is another 512 megabit NAND Flash memory device with comparable features. It is based on SLC NAND technology and is offered in different package options.
Numéro d'article : MX30LF512G18AC
Marques : Macronix
Emballer :
Description : This is a 512 megabit NAND Flash memory device that offers similar storage capacity and SLC NAND technology. It is available in various package types to suit different application requirements.
Points de pièce
-
The NAND512W3A2BN6E chip is a NAND flash memory chip with a capacity of 512 gigabits. It is commonly used in a variety of electronic devices for data storage, such as smartphones, tablets, and solid-state drives. The chip offers high speed and reliability, making it a popular choice for memory storage applications.
-
Equivalent
The equivalent products of NAND512W3A2BN6E chip are Micron MT29F4G08ABADAH4, Winbond W25N05JW, and Cypress S29GL512S10TFI013. These chips have similar specifications like NAND flash memory, 512Mb capacity, an asynchronous interface, and a 48-ball grid array package. -
Features
NAND512W3A2BN6E is a 512Gb 3-bit TLC NAND flash memory with a synchronous interface. It offers low power consumption, high storage capacity, and fast data transfer rates. It is designed for use in solid-state drives, tablets, smartphones, and other storage devices requiring high-performance flash memory. -
Pinout
The NAND512W3A2BN6E is a 32Gb, 3.3V NAND flash memory chip with a 48-pin TSOP package. Its functions include storing data for electronic devices, such as smartphones, tablets, and computers. -
Manufacturer
The manufacturer of the NAND512W3A2BN6E is Samsung. Samsung is a South Korean multinational conglomerate company that specializes in various industries including electronics, telecommunications, and semiconductors. They are one of the world's largest manufacturers of consumer electronics and semiconductor products. -
Application Field
The NAND512W3A2BN6E is commonly used in embedded systems, consumer electronics, automotive applications, and industrial equipment for data storage and code execution. Its low power consumption, high reliability, and fast access times make it ideal for a wide range of applications that require non-volatile memory storage. -
Package
The NAND512W3A2BN6E chip is in a BGA (Ball Grid Array) package type, with a form factor of 14 x 18 mm, and a size of 512 megabits (64 megabytes).
Fiche de données PDF
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![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
