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DMN63D8LDW-7
DMN63D8LDW-7 is a package containing two N-Channel MOSFETs with a continuous drain current rating of 220mA at 30V and a power dissipation of 300mW
Marques: Diodes Incorporated
Pièce Fabricant #: DMN63D8LDW-7
Fiche de données: DMN63D8LDW-7 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-363-6
Statut RoHS:
État des stocks: 9 111 pièces, nouveau original
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 10 | $0,042 | $0,420 |
| 100 | $0,037 | $3,700 |
| 300 | $0,035 | $10,500 |
| 3000 | $0,027 | $81,000 |
| 6000 | $0,026 | $156,000 |
| 9000 | $0,025 | $225,000 |
En stock: 9 111 PC
DMN63D8LDW-7 Description générale
In the realm of automotive electronics, the DMN63D8LDW-7 MOSFET stands out as a high-quality, dual N-channel component suitable for a wide range of applications. With its 30V drain-source voltage and 260mA continuous drain current rating, this MOSFET provides robust power handling capabilities while maintaining an on-resistance of 2.8ohm at a test voltage of 10V. The threshold voltage of 1.5V and maximum operating temperature of 150°C further enhance the versatility of this component, allowing it to perform reliably in demanding automotive environments
Caractéristiques
HIGH RELIABILITYApplication
SWITCHINGCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 260 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 2.8 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Qg - Gate Charge | 870 pC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 400 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Series | DMN63D8 |
| Brand | Diodes Incorporated | Configuration | Dual |
| Fall Time | 6.3 ns | Forward Transconductance - Min | 80 mS |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 3.2 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.3 ns |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The DMN63D8LDW-7 chip is a low-power RF transceiver designed for wireless communication applications. It operates in the frequency range of 420 MHz to 475 MHz and 850 MHz to 940 MHz, making it suitable for various communication systems. This chip offers high performance, low power consumption, and reliable data transmission, making it ideal for IoT devices, remote control systems, and wireless sensor networks.
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Equivalent
The equivalent products of DMN63D8LDW-7 chip are IRF644B, STD6N62K3, and STD8N80K5. These are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
DMN63D8LDW-7 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 63V, drain current of 50A, and low on-resistance of 8 mΩ. It is designed for high efficiency power management applications, with a compact and surface-mountable DFN package. -
Pinout
The DMN63D8LDW-7 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. The functions of the pins are Gate 1, Source 1, Drain 1, Source 2, Drain 2, Gate 2, NC (No Connection), and NC (No Connection). It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of DMN63D8LDW-7 is Panasonic Corporation, a multinational corporation that specializes in electronics, home appliances, and automotive products. Panasonic is a leading manufacturer known for its innovative technologies and high-quality products. -
Application Field
DMN63D8LDW-7 is commonly used in high power, low resistance applications such as power management modules, load switches, and battery protection circuits in consumer electronics, automotive systems, and industrial applications. Its small footprint and low on-state resistance make it ideal for high current applications where low power dissipation is critical. -
Package
The DMN63D8LDW-7 chip is in a DFN-8 package type with a size of 3mm x 3mm. It is a dual N-channel MOSFET with a maximum current rating of 2.8A and a voltage rating of 60V.
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