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$5000ON NVF3055L108T1G
223 MOSFET with N Channel transistor polarity, 60V source voltage, and 3A continuous drain current
Marques: ON
Pièce Fabricant #: NVF3055L108T1G
Fiche de données: NVF3055L108T1G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT223
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 10 000 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NVF3055L108T1G Description générale
Whether you're working on a new project or replacing an existing N-channel transistor, the NVF3055L108T1G is a solid option to consider. With a drain-source voltage (Vds) of 60V and a continuous drain current (Id) of 3A, this transistor is versatile and reliable. Its surface mount design and Rds(on) test voltage of 5V make it easy to use in a variety of circuits. Plus, with a gate-source threshold voltage max of 1.68V and a power dissipation of 2.1W, you can expect efficient performance. This transistor also comes in a 4-pin package and is fully RoHS compliant, meeting environmental standards
Caractéristiques
- Military Grade Quality
- UL and ETL Certified
- Conformal Coating Available
- High Temperature Resistance
- Dual In-Line Package (DIP)
- Solder Dip and Wave Soldering Capable
Application
- Industrial Automation
- Switched-Mode Power Supplies
- Power Factor Correction
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Status | Active, Not Rec | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOT-223-4 / TO-261-4D | Case Outline | 0.0318 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 1000 |
| ON Target | Y | Channel Polarity | N-Channel |
| Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 60 |
| VGS Max (V) | 15 | VGS(th) Max (V) | 2 |
| ID Max (A) | 3 | PD Max (W) | 2.1 |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 120 | Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 18 |
| Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 7.6 | Ciss Typ (pF) | 313 |
| Pricing ($/Unit) | $0.4935 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The NVF3055L108T1G chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) used in various electronic devices and power management systems. It is designed to handle high voltage and high current loads efficiently. The chip offers low on-resistance, allowing for reduced power dissipation and improved system performance.
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Equivalent
Some equivalent products of the NVF3055L108T1G chip include IRF3205, FDP6030BL, IRL530NPBF, and IPP80P03P4L-04. These chips are also N-channel power MOSFETs with similar specifications and characteristics. -
Features
The features of NVF3055L108T1G include a N-Channel MOSFET transistor, a drain-source voltage of 55V, a continuous drain current of 9.3A, and a low on-resistance of 8.6mΩ. It is designed for use in power management applications and provides efficient and reliable performance. -
Pinout
The NVF3055L108T1G is a 6-pin N-channel MOSFET with a TO-263 package. It is used for switching applications in power supply designs. -
Manufacturer
ON Semiconductor is the manufacturer of the NVF3055L108T1G. It is a semiconductor company specializing in energy-efficient solutions for power management and signal processing applications. -
Application Field
The NVF3055L108T1G is a power MOSFET that can be used in a wide range of applications, including switch mode power supplies, motor controls, and battery charger circuits. It can also be used in LED lighting, audio amplifiers, and other power management systems. -
Package
The NVF3055L108T1G chip is available in a TO-263AB package type, has a standard form factor, and has a size of approximately 19.86mm x 10.92mm x 4.57mm.
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