Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

ON MMBT5401LT1G 48HRS

PNP Transistor with 0.5A Current Rating and SOT-23 Package

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: MMBT5401LT1G

Fiche de données: MMBT5401LT1G Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOT-23-3

Statut RoHS:

État des stocks: 9458 pièces, nouveau original

type de produit: Bipolar Transistors - BJT

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
10 $0,040 $0,400
100 $0,033 $3,300
300 $0,029 $8,700
3000 $0,026 $78,000
6000 $0,025 $150,000
9000 $0,024 $216,000

In Stock:9458 PCS

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour MMBT5401LT1G ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

MMBT5401LT1G Description générale

The MMBT5401LT1G is a bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. It belongs to the PNP transistor family, making it suitable for various switching and amplification applications. The "MM" in the part number indicates that it is designed for general-purpose use.This transistor is housed in a SOT-23 surface mount package, making it compact and suitable for use in small electronic devices and circuit boards. The "LT" in the part number indicates that it is a lead-free version, complying with environmental regulations such as the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive.The MMBT5401LT1G has a maximum collector-base voltage (V_CBO) of -160 volts and a maximum collector-emitter voltage (V_CEO) of -160 volts, with a maximum emitter-base voltage (V_EBO) of -5 volts. It can handle a continuous collector current (I_C) of -600 milliamps.This transistor has a low saturation voltage and fast switching speed, making it suitable for use in applications such as amplifiers, switching circuits, voltage regulators, and motor control.

Caractéristiques

  • The MMBT5401LT1G is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in switching and amplification applications
  • It has a maximum collector current of 600mA, a maximum collector-emitter voltage of 160V, and a power dissipation of 225mW
  • The transistor is housed in a SOT-23 package, making it suitable for compact electronic designs
  • Application

  • The MMBT5401LT1G is a general-purpose PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications
  • It is suitable for low-power and small-signal amplification tasks in various electronic circuits, including audio amplifiers, signal amplifiers, and voltage amplifiers
  • Its compact size and versatile characteristics make it suitable for a wide range of electronic projects and devices
  • Caractéristiques

    Paramètre Valeur Paramètre Valeur
    Status Active Compliance PbAHP
    Package Type SOT-23-3 Case Outline 318-08
    MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
    Container Type REEL Container Qty. 3000
    ON Target N Polarity PNP
    Type General Purpose VCE(sat) Max (V) 0.5
    IC Cont. (A) 0.5 VCEO Min (V) 150
    VCBO (V) 160 VEBO (V) 5
    VBE(sat) (V) 1 hFE Min 60
    hFE Max 240 fT Min (MHz) 100
    PTM Max (W) 0.225

    Expédition

    Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
    DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

    Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

    Paiement

    Modalités de paiement Frais de main
    Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
    Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
    Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
    Western union Western union charge US.00 banking fee.
    Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

    Garanties

    1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

    2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

    Emballage

    • Produit

      Étape1 :Produit

    • Emballage sous vide

      Étape2 :Emballage sous vide

    • Sac antistatique

      Étape3 :Sac antistatique

    • Emballage individuel

      Étape4 :Emballage individuel

    • Boîtes d'emballage

      Étape5 :Boîtes d'emballage

    • étiquette d'expédition à code-barres

      Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

    Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

    L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

    Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

    Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

    • ESD
    • ESD

    Points de pièce

    • The MMBT5401LT1G chip is a low voltage, PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for various applications, including switching and amplification in electronic circuits. It has a maximum current rating of 600 mA and a power dissipation of 350 mW. With a compact SOT-23 package, it is commonly used in portable electronic devices, battery-powered applications, and other low voltage circuits.
    • Equivalent

      Some equivalent products of the MMBT5401LT1G chip include: 2N5401, BC327, and KSP5401.
    • Features

      The MMBT5401LT1G is a high voltage PNP transistor with a Collector-Emitter voltage (VCEO) of -150 V. It has a Collector current (IC) rating of -600 mA and a power dissipation (PD) of 225 mW. It comes in a small SOT-23 package, making it suitable for space-constrained applications.
    • Pinout

      The MMBT5401LT1G is a SOT-23 package with 3 pins. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the base, and pin 3 is the collector. It is a general-purpose PNP bipolar junction transistor used for amplification and switching applications.
    • Manufacturer

      The manufacturer of the MMBT5401LT1G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor company that designs, manufactures, and sells a wide range of electronic components for various industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
    • Application Field

      The MMBT5401LT1G is a general-purpose PNP transistor, commonly used in applications such as signal amplification, switching, and audio amplification. It can be found in various electronic devices, including audio equipment, power supplies, and sensor circuits.
    • Package

      The MMBT5401LT1G chip is available in a SOT-23 package type. It has three terminals in the SMD form and measures approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm in size.

    Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

    • Produit

      Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

    • quantity

      La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

    • shipping

      Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

    • garantie

      Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

    Notes et avis

    Notes
    Veuillez évaluer le produit !
    Merci de saisir un commentaire

    Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

    Soumettre

    Recommander

    • MJE5731AG

      MJE5731AG

      Onsemi

      The MJE5731AG is a PNP transistor suitable for gen...

    • MJF18008G

      MJF18008G

      Onsemi

      8A 450V 45W NPN Bipolar Transistors

    • MJ15004G

      MJ15004G

      Onsemi

      The MJ15003 and MJ15004 serve as power transistors...

    • MJ21195G

      MJ21195G

      Onsemi

      ROHS compliant TO-204AA transistors with 250V volt...

    • MJ21196G

      MJ21196G

      Onsemi

      Bipolar NPN Transistor, 250V, 16A

    • MJ4502G

      MJ4502G

      Onsemi

      PNP Bipolar Transistor: 100V, 30A, 200W, TO3