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$5000vishay SI1022R-T1-GE3
A MOSFET housed in SC75A packaging, featuring a 60V Vds and a 20V Vgs
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI1022R-T1-GE3
Fiche de données: SI1022R-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-416-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI1022R-T1-GE3 Description générale
One of the key features of the SI1022R-T1-GE3 is its low threshold voltage of 2.5V, which allows for easy gate control and precise power regulation. This characteristic adds to the overall efficiency and controllability of power management systems in which the MOSFET is employed
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-416-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 330 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.25 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 600 pC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI1 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Part # Aliases: | SI1022R-GE3 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI1022R-T1-GE3 chip is a high-performance, low on-resistance power MOSFET integrated circuit designed for use in various electronics applications such as power management, motor control, and LED lighting. It features a compact size, low power consumption, and high efficiency, making it an ideal choice for modern electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of SI1022R-T1-GE3 chip are SI1022R-T1-E3, SI1022R-T1-GE3, and SI1022R-T1-RE3. These chips are all part of the SI1022R-T1 series and offer similar functionality and performance. -
Features
SI1022R-T1-GE3 is a power MOSFET with fast switching speeds, low on-resistance, high power efficiency, and a low gate charge. It has a compact form factor and is designed for use in various power management applications in industries such as automotive, telecom, and renewable energy. -
Pinout
The SI1022R-T1-GE3 is a MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. Its function is to control the flow of current between the drain and source terminals based on the voltage applied to the gate terminal. -
Manufacturer
The SI1022R-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, an American company that specializes in electronic components and systems. They are a leading global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Intertechnology's products are used in a wide range of industries including automotive, telecommunications, medical, and industrial applications. -
Application Field
The SI1022R-T1-GE3 is commonly used in power management systems for electronic devices, such as smartphones, tablets, and laptops. It is also used in battery charging applications and in DC-DC converters. Additionally, it can be found in industrial automation equipment, LED lighting, and automotive electronics. -
Package
The SI1022R-T1-GE3 chip comes in a SOT-23-3 package, with a single form factor. Its size is typically 2.8 mm x 2.9 mm x 1.25 mm.
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