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$5000vishay SI1302DL-T1-E3
SI1302DL-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor, 0.6 A, 30 V, 3-Pin SOT-323 | Siliconix / Vishay SI1302DL-T1-E3
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI1302DL-T1-E3
Fiche de données: SI1302DL-T1-E3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SC-70-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI1302DL-T1-E3 Description générale
For applications requiring reliable power management and efficient switching capabilities, the SI1302DL-T1-E3 N-channel MOSFET offers a continuous drain current of up to 640mA and a drain-source voltage of 30V. The on-resistance of 480mohm and threshold voltage of 1V ensure optimal performance in various electronic designs. The SC-70 transistor case style features 3 pins for easy installation and secure connections, making it a versatile choice for surface mount applications. With a power dissipation rating of 310mW, the MOSFET can handle heavy loads with ease. The voltage ratings of 30V for Vds and 3V for Vgs provide a wide operating range for compatibility with a range of voltage requirements
Caractéristiques
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET® Power MOSFET
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 640 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 480 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 1.4 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 310 mW | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | TrenchFET | Series: | SI1 |
Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay / Siliconix |
Configuration: | Single | Product Type: | MOSFET |
Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
Part # Aliases: | SI1302DL-T1-BE3 SI1302DL-E3 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI1302DL-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications, such as power supplies and motor control. It features low on-resistance and low gate charge, making it ideal for high efficiency and fast response times. The chip is RoHS compliant and comes in a compact SOT-23 package.
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Equivalent
The equivalent products of SI1302DL-T1-E3 chip include Infineon BSC0927ND, Toshiba TPHR8511NL, and Fairchild FDB023N08A. These MOSFETs have similar characteristics and can be used as substitutes for the SI1302DL-T1-E3 chip in various applications. -
Features
Features of SI1302DL-T1-E3: 1. Compact size (1.0mm x 1.6mm x 0.55mm) 2. Low profile package design 3. High sensitivity and wide dynamic range 4. Integrated ESD protection 5. Suitable for portable electronic devices and industrial applications -
Pinout
SI1302DL-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. Pin functions are Gate 1, Source 1, Drain 1, Gate 2, Source 2, and Drain 2. It is commonly used in power management applications such as DC-DC converters and motor control circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of SI1302DL-T1-E3 is Vishay Intertechnology, a global company specializing in the design, manufacture, and distribution of electronic components like capacitors, resistors, inductors, and sensors. Vishay Intertechnology serves various industries such as automotive, industrial, consumer, and telecommunications, providing innovative solutions for their technological needs. -
Application Field
SI1302DL-T1-E3 is typically used in applications requiring high-speed switching such as DC-DC converters, load switches, and power management in portable electronics, automotive systems, and industrial equipment. Its small size and high efficiency make it ideal for compact and energy-efficient designs. -
Package
The SI1302DL-T1-E3 chip comes in a Surface Mount package type, with a Diode configuration. It is available in a 2-SMD, Flat Lead form with a size of 1.0mm x 0.6mm.
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