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vishay SI1303DL-T1-E3

P-Channel MOSFET transistor suitable for general purpose use, with a maximum current rating of 670 mA and voltage rating of 20 V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Vishay

Pièce Fabricant #: SI1303DL-T1-E3

Fiche de données: SI1303DL-T1-E3 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SC-70-3

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour SI1303DL-T1-E3 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

SI1303DL-T1-E3 Description générale

P-Channel 20 V 670mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3

Caractéristiques

  • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
  • TrenchFET® Power MOSFETs
  • 2.5 V Rated
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Tradename: TrenchFET Series: SI1
Packaging: MouseReel Brand: Vishay / Siliconix
Product Type: MOSFET Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Part # Aliases: SI1303DL-E3
Unit Weight: 0.000176 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The SI1303DL-T1-E3 is a low on-state resistace P-Channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for use in low voltage, high speed power management applications. It operates at a maximum voltage of -30V with a continuous drain current of -1.3A. The chip is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for small form factor devices.
  • Equivalent

    Some equivalent products of SI1303DL-T1-E3 chip are IRF3704ZS, IRF3704Z, and NTB3205. These chips are all N-channel MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    SI1303DL-T1-E3 is a P-Channel MOSFET with features such as a low on-resistance of 19 mΩ, a low gate charge of 12nC, and a maximum drain current of 150A. It is designed for high-performance power management applications in automotive and industrial environments.
  • Pinout

    The SI1303DL-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. It is used in power management applications to control and switch power in electronic circuits efficiently. The MOSFETs can handle high currents with low on-resistance, making them ideal for power control in various devices.
  • Manufacturer

    SI1303DL-T1-E3 is manufactured by Vishay Semiconductor GmbH, a leading global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. They offer a wide range of products including diodes, transistors, optoelectronics, and capacitors for various industries such as automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics.
  • Application Field

    SI1303DL-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET optimized for high-efficiency power management applications, typically used in power supplies, battery management systems, and motor control circuits. With a compact size and low on-resistance, it is ideal for portable devices, industrial equipment, and automotive applications where space and power efficiency are critical.
  • Package

    The SI1303DL-T1-E3 chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) in a Dual Power-SO8 package. It has a form factor of Surface Mount and a size of 5mm x 6mm x 1.05mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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