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$5000vishay SI1869DH-T1-GE3
Load Switch with Level-Shift
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI1869DH-T1-GE3
Fiche de données: SI1869DH-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-363-6
type de produit: Power Distribution Switches, Load Drivers
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI1869DH-T1-GE3 Description générale
The SI1869DH-T1-GE3, a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix, is engineered for power management applications, offering low on-resistance and a high current rating. Its design is particularly well-suited for use in DC-DC converters and synchronous rectification, where it plays a crucial role in reducing power losses and improving overall system efficiency. Packaged in a compact and thermally efficient PowerPAK® SO-8 package, this MOSFET is known for its space efficiency and reliable performance. Additionally, its lead (Pb)-free and RoHS-compliant construction further enhances its appeal for environmentally conscious applications. With its dual-channel configuration, the SI1869DH-T1-GE3 enables synchronous rectification, making it a popular choice for power management applications where high performance and thermal characteristics are essential
Caractéristiques
- SI18-GE3 integrates advanced power conversion and motor control capabilities
- It features low RDS(on) MOSFET for efficient energy transfer
- Small form factor design makes it suitable for various applications
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 1.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 165 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | - | Qg - Gate Charge: | - |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Vishay Semiconductors | Configuration: | Dual |
| Height: | 1 mm | Length: | 2.1 mm |
| Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Width: | 1.25 mm | Part # Aliases: | SI1869DH-T1-BE3 SI1869DH-GE3 |
| Unit Weight: | 0.000265 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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Paiement
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Emballage
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