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vishay SI2303CDS-T1-GE3
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI2303CDS-T1-GE3
Fiche de données: SI2303CDS-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 5 | $0,076 | $0,380 |
| 50 | $0,066 | $3,300 |
| 150 | $0,061 | $9,150 |
| 500 | $0,058 | $29,000 |
| 3000 | $0,052 | $156,000 |
| 6000 | $0,051 | $306,000 |
En stock: 9 458 PC
SI2303CDS-T1-GE3 Description générale
The SI2303CDS-T1-GE3 is a high-quality P-channel FET designed for low voltage applications, boasting a maximum drain-source voltage of -30V and a continuous drain current of -3.2A. With a low on-resistance of 104mOhms at a gate-source voltage of -4.5V, this transistor provides efficient power management and reduces power loss. It can withstand a wide range of operating conditions with a total power dissipation of 2.2W and a junction temperature range of -55°C to 150°C. The compact SOT-23 package and small footprint of the SI2303CDS-T1-GE3 make it easy to integrate into various circuit designs, perfect for applications where space is limited
Caractéristiques
- This transistor is ideal for load switching in small circuits
- The SI2303CDS-T1-GE3 has a low input capacitance of 2pF
- It can be used for DC/DC converters and other power conversion applications
Application
SWITCHINGCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 2.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 2 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 2.3 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI2 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 8 ns |
| Height: | 1.45 mm | Length: | 2.9 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 11 ns |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns | Width: | 1.6 mm |
| Part # Aliases: | SI2303CDS-T1-BE3 SI2303BDS-T1-E3-S |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Points de pièce
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The SI2303CDS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor designed for high efficiency power management applications. It features a low on-resistance and is suitable for use in battery management systems, load switches, and other power control circuits. This chip offers high performance in a compact package, making it ideal for space-constrained designs.
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Equivalent
The equivalent products of the SI2303CDS-T1-GE3 chip are SI2303CDS-T1-E3, SI2303CDS-T1-RE3, and SI2303CDS-T1-WE3. These are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and functionality. -
Features
1. Enhancement mode N-channel MOSFET 2. Small footprint SOT-23 package 3. Low threshold voltage of 1.8V 4. Low on-resistance of 40mΩ 5. High current rating of 2.6A 6. Low gate charge for fast switching 7. RoHS compliant and halogen-free 8. Suitable for various low voltage applications -
Pinout
The SI2303CDS-T1-GE3 is a 3-pin N-channel MOSFET transistor with a SOT-23 package. It is designed for switching applications in electronic devices. The pin count includes Gate (G), Drain (D), and Source (S) pins. The transistor helps control the flow of current between the Drain and Source pins based on the voltage applied to the Gate pin. -
Manufacturer
The manufacturer of SI2303CDS-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. It is an American manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Intertechnology specializes in producing resistors, capacitors, inductors, diodes, transistors, and modules for a wide range of applications in industries such as automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
SI2303CDS-T1-GE3 is a small signal N-channel MOSFET with a maximum current rating of 2.7A and a low on-resistance of 0.08 ohms. It is commonly used in various low-power applications such as battery management, relay drivers, power switches, and signal amplification in consumer electronics, automotive systems, and industrial controls. -
Package
The SI2303CDS-T1-GE3 chip comes in a surface-mount package with a form of dual N-channel MOSFET in a SOT-23-3 size (2.9mm x 1.3mm).
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