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$5000vishay SI2318CDS-T1-GE3
SOT-23-3 Packaged N-Channel MOSFET with 40 Volts Drain-to-Source Voltage and 0.042 Ohms On-Resistance
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI2318CDS-T1-GE3
Fiche de données: SI2318CDS-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2318CDS-T1-GE3 Description générale
The SI2318CDS-T1-GE3 is a top-notch P-channel MOSFET transistor perfect for a wide range of applications. With a robust maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -4.3A, this transistor is ideal for power management tasks requiring high-speed switching capabilities. Its ultra-low on-resistance of 53mΩ at a VGS of -4.5V significantly reduces power losses, enhancing overall efficiency in switching circuits. Moreover, the SI2318CDS-T1-GE3 boasts a minimal gate charge of 10nC, facilitating quick switching speeds for optimized performance
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Caractéristiques
- Durable construction
- Low power consumption
- Long lifespan reliability
- Easy installation
Application
- Power control applications
- Voltage regulation circuit
- Compact power management
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Id - Continuous Drain Current | 5.6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 42 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Qg - Gate Charge | 2.9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.1 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 8 ns |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 20 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 7 ns | Part # Aliases | SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-GE3 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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SI2318CDS-T1-GE3 is a power MOSFET chip manufactured by Vishay. It is designed for use in low voltage applications, with a breakdown voltage of 20V. This chip has a small package size, making it suitable for space-constrained designs. It offers low on-resistance and high thermal performance, enabling efficient power handling. Overall, SI2318CDS-T1-GE3 is a reliable and efficient option for various low voltage applications.
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Equivalent
Equivalent products to the SI2318CDS-T1-GE3 chip include SI2318CDS-T1-E3, SI2319CDS-T1-GE3, and SI2319CDS-T1-E3. -
Features
The features of SI2318CDS-T1-GE3 include a voltage rating of 20V, a continuous drain current of 2.1A, low on-resistance of 55mΩ, and a gate threshold voltage of 1V to 2.5V. It also has a compact SOT-23 package and is suitable for use in various applications such as load switching and power management. -
Pinout
The SI2318CDS-T1-GE3 is a 3-pin MOSFET transistor. It has a pin count of 3, with a gate, drain, and source pin. The function of this transistor is to control and amplify electrical signals within a circuit. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2318CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that produces a wide range of power MOSFETs, diodes, and optoelectronic components for various industries, including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The SI2318CDS-T1-GE3 is a small signal MOSFET transistor that can be used in various applications such as low voltage switching, audio amplification, and power management circuits. -
Package
The SI2318CDS-T1-GE3 chip from Vishay Siliconix has a package type of SOT-23, a form of Surface Mount, and has a size of 2.9mm x 1.3mm.
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