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vishay SI2318DS-T1-E3
SI2318DS-T1-E3 MOSFET can handle up to 250uA
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI2318DS-T1-E3
Fiche de données: SI2318DS-T1-E3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,251 | $0,251 |
| 10 | $0,217 | $2,170 |
| 30 | $0,203 | $6,090 |
| 100 | $0,185 | $18,500 |
| 500 | $0,176 | $88,000 |
| 1000 | $0,172 | $172,000 |
En stock: 9 458 PC
SI2318DS-T1-E3 Description générale
N-Channel 40 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Caractéristiques
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
- TrenchFET® Power MOSFET
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 15 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 11 S | Height | 1.45 mm |
| Length | 2.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 12 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Width | 1.6 mm | Part # Aliases | SI2318DS-T1-BE3 SI2318DS-T1 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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SI2318DS-T1-E3 is a power MOSFET chip developed by Vishay, a semiconductor manufacturer. It is designed for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters. With its low ON-resistance and compact SOT-23 package, it offers efficient power management and improved performance in electronic devices.
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Equivalent
Some equivalent products of the SI2318DS-T1-E3 chip include AO3401, AO3402, BS270, BS270C, and SSF2305. -
Features
SI2318DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET with a drain-source voltage rating of -30V and a maximum continuous drain current of -6.6A. It has a low on-state resistance of 33mΩ and a gate threshold voltage range of -1V to -2.5V. The device is suitable for applications requiring efficient power management and voltage level shifting. -
Pinout
The SI2318DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. It is used as a switch in electronic circuits to control the flow of current. The function of the MOSFET is to amplify and switch electronic signals and power. It is commonly used in power management and voltage regulation applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2318DS-T1-E3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a company that specializes in the design, manufacture, and marketing of a wide range of discrete and integrated semiconductor products. They offer solutions for applications in various industries such as automotive, consumer electronics, telecommunications, and more. -
Application Field
The SI2318DS-T1-E3 is a high-efficiency power MOSFET used in various applications such as portable devices, battery chargers, power management systems, and LED lighting. It offers low gate charge, low on-resistance, and compact size, making it well-suited for space-constrained applications requiring reliable power performance. -
Package
The SI2318DS-T1-E3 chip has a package type of SOT-23. The form is surface mount and the size is very small, measuring 3.00mm x 1.40mm x 1.10mm.
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