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$5000vishay SI2319DS-T1-E3
Operating temperature range of -55 to +150 degrees Celsius
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI2319DS-T1-E3
Fiche de données: SI2319DS-T1-E3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2319DS-T1-E3 Description générale
The Vishay SI2319DS-T1-E3 P Channel Mosfet is a reliable semiconductor device with excellent electrical characteristics. Its P Channel configuration makes it suitable for specific circuit requirements where this type of transistor is necessary. The 40V drain source voltage (Vds) rating provides a safety margin for voltage spikes and transients in the system. With a continuous drain current (Id) rating of 3A, this MOSFET can handle moderate power levels without compromise. The surface mount transistor mounting style simplifies the manufacturing process and improves overall system reliability. The Rds(On) test voltage of 4.5V ensures low on-resistance for efficient power management. The gate source threshold voltage max of 3V guarantees stable and predictable switching behavior. While not RoHS compliant, the Vishay SI2319DS-T1-E3 remains a go-to choice for electronic designers looking for performance and reliability
Caractéristiques
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 82 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 17 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 25 ns |
| Forward Transconductance - Min | 7 S | Height | 1.45 mm |
| Length | 2.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 15 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns | Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Width | 1.6 mm | Part # Aliases | SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-E3 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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Paiement
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Points de pièce
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The SI2319DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) chip that is commonly used in high frequency switching applications. This chip has a low gate capacitance and low on-resistance, making it ideal for use in DC-DC converters, voltage regulators, and switching power supplies. It features a compact surface mount package and can operate at high temperatures, making it suitable for use in a wide range of industrial and automotive applications.
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Equivalent
Equivalent products to SI2319DS-T1-E3 chip include SI2319DS-T1-GE3, SI2319DS-T1-RE3, and SI2319DS-T1-WE3. These are variations with different packaging or specifications but serve similar functions. -
Features
The SI2319DS-T1-E3 is a P-channel enhancement mode MOSFET with a voltage rating of -30V, a drain current of -2.5A, and a low threshold voltage. It features high power efficiency and is suitable for a variety of applications including power management and load switching in portable electronics. -
Pinout
The SI2319DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET. It has a pin count of 6, with three pins per channel (Gate, Drain, Source). It functions as a switch or amplifier in electronic circuits, commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The SI2319DS-T1-E3 is manufactured by Vishay Intertechnology, an American company specializing in electronic components and systems for a wide range of industries including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. They produce a variety of semiconductor devices, passive components, and integrated circuits. -
Application Field
The SI2319DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET transistor commonly used in power management applications such as battery protection circuits, load switches, and DC-DC converters. Its small size, low on-resistance, and high efficiency make it suitable for portable electronics, automotive systems, and industrial equipment. -
Package
The SI2319DS-T1-E3 chip is a dual P-channel MOSFET transistor. It comes in a surface-mount DFN (Dual Flat No-leads) package, with a size of 2x2 mm.
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