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vishay SI2333CDS-T1-GE3 48HRS

Performance Features: With its low on-resistance and high power handling capability

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Vishay

Pièce Fabricant #: SI2333CDS-T1-GE3

Fiche de données: SI2333CDS-T1-GE3 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOT-23-3

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $0,358 $0,358
10 $0,285 $2,850
30 $0,253 $7,590
100 $0,215 $21,500
500 $0,198 $99,000
1000 $0,187 $187,000

En stock: 9 458 PC

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour SI2333CDS-T1-GE3 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

SI2333CDS-T1-GE3 Description générale

The SI2333CDS-T1-GE3 is a P-channel transistor with a drain-source voltage (Vds) of 12V and a continuous drain current (Id) of 7.1A. This surface-mount transistor has a Rds(On) test voltage of 4.5V and a maximum gate-source threshold voltage of 1V. It is capable of dissipating 2.5W of power and has 3 pins. However, it is not RoHS compliant

Caractéristiques

  • Rugged Design for High Reliability and Low Failure Rate
  • Excellent Switching Performance with Fast Fall Time
  • Low Total Gate Charge and Low Input Capacitance
  • Safe Operating Area (SOA) Protection Against Overvoltage and Undervoltage Conditions

Application

Load Switch |PA Switch

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12 V
Id - Continuous Drain Current 7.1 A Rds On - Drain-Source Resistance 35 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Qg - Gate Charge 9 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.5 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 12 ns
Height 1.45 mm Length 2.9 mm
Product Type MOSFET Rise Time 35 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 45 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns Width 1.6 mm
Part # Aliases SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-GE3

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • SI2333CDS-T1-GE3 is a chip/semiconductor used in electronic devices. It is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that can switch high currents. The chip is designed to enhance performance while reducing power consumption in various applications such as power management, battery chargers, and DC-DC converters. It offers high efficiency, compact size, and low on-resistance for improved electrical performance in electronic circuits.

  • Features

    SI2333CDS-T1-GE3 is a P-Channel MOSFET with a drain-source voltage rating of -20V. It has a low on-resistance, fast switching speed, and is suited for low power applications. Additionally, it has thermal protection and is RoHS compliant.

  • Pinout

    The SI2333CDS-T1-GE3 has a pin count of 6 and is a P-Channel MOSFET. Its function is to provide high-speed switching and efficient power management in various electronic applications.

  • Manufacturer

    The manufacturer of the SI2333CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in the design, production, and distribution of power MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) and other electronic components.

  • Application Field

    The SI2333CDS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET that can be used in various applications such as power management, load switching, battery charging, and portable devices. It offers low voltage and low on-resistance, making it suitable for applications that require efficient power control and handling.

  • Package

    The SI2333CDS-T1-GE3 chip has a package type of SOT-23, a form of reel, and a small size.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

STM32G031F8P6

TL7705ACP

1N5819W

0154001.DR

MICS-5914

LMX2595RHAT

OPA277U/2K5

LM7824CT

SHT31-DIS-B2.5KS

MC14511BCP

B130LAW-7-F

CDCLVC1104PWR

MURS260T3G

SN74ALVC244PWR

MSL0601RGBU1

H11L1SR2M

AD8034ARZ

TPS7A4901DRBR

BTA26-800B

M24M01-RDW6TP

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

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