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vishay SI2369DS-T1-GE3

MOSFET: SOT-23 variant designed for applications requiring a maximum drain-source voltage of -30V and a maximum gate-source voltage of 20V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Vishay

Pièce Fabricant #: SI2369DS-T1-GE3

Fiche de données: SI2369DS-T1-GE3 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOT-23-3

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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SI2369DS-T1-GE3 Description générale

The SI2369DS-T1-GE3 is a MOSFET with P channel transistor polarity, designed for use in applications requiring high current and low voltage operation. With a continuous drain current of -7.6A and a drain source voltage of -30V, this MOSFET offers high performance and reliability. Its low on resistance of 0.024ohm ensures efficient power management, while the threshold voltage of -10V makes it suitable for a wide range of voltage levels. The SOT-23-3 package provides a compact and convenient solution for space-constrained applications, making the SI2369DS-T1-GE3 an ideal choice for power management in portable electronics, battery-powered devices, and other compact systems

Caractéristiques

  • Ruggedized against ESD
  • Low output capacitance
  • Fast fall time

Application

For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter G

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 7.6 A Rds On - Drain-Source Resistance 29 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Qg - Gate Charge 11.4 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.5 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 6 ns
Height 1.45 mm Length 2.9 mm
Product Type MOSFET Rise Time 4 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 38 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns Width 1.6 mm
Part # Aliases SI2369DS-T1-BE3

Expédition

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Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

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1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

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Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • SI2369DS-T1-GE3 is a chip manufactured by Vishay Siliconix. It is a dual N-channel MOSFET designed for use in power management applications. The chip features a low on-resistance and low gate charge, making it highly efficient. It is compatible with both digital and analog applications and is commonly used in DC-DC converters, load switches, and battery protection circuits.

  • Features

    The SI2369DS-T1-GE3 is a small signal N-channel MOSFET transistor. It has a drain-source voltage rating of 20V and a continuous drain current rating of 3.6A. The transistor is designed for general-purpose switching applications and offers low RDS(on) resistance and fast switching speed.

  • Pinout

    The SI2369DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET transistor with a package pin count of 6. The pin functions include the gate (G) pin, which controls the flow of current through the transistor, the drain (D) pin, which collects current from the transistor, and the source (S) pin, which serves as the reference point for the current flow.

  • Manufacturer

    The SI2369DS-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., which is a global manufacturer of a wide range of electronic components and semiconductors.

  • Application Field

    The SI2369DS-T1-GE3 is designed for general-purpose switching applications with low on-resistance and fast switching characteristics. It can be used in various applications such as power management, load switches, battery protection, and portable devices.

  • Package

    The SI2369DS-T1-GE3 chip has a surface mount package type called SOT-23-3. It has three pins and a small outline package (SOP) form. The package size is approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm (L x W x H).

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

TPS62933PDRLR

OPA2348AIDCNR

IW1710-01

IRL540NPBF

VAF1024

NUD3105DMT1G

OPA1632D

SMDJ30CA

88E1518-A0-NNB2C000

2N4348

MC34063ADR2G

STM8L151C8T6

NUD4001DR2G

SUM110P06-07L-E3

IXFH50N20

NTR4501NT1G

VNQ660SPTR-E

LTC1966CMS8#PBF

10M04SAU324I7G

ATMEGA644P-20PU

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