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$5000vishay SI3421DV-T1-GE3
P-Channel 20 V 0.0192 Ohm 69 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI3421DV-T1-GE3
Fiche de données: SI3421DV-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TSOP-6
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI3421DV-T1-GE3 Description générale
Compliance with RoHS standards ensures that the SI3421DV-T1-GE3 is not only high-performing but also environmentally friendly. Its versatility makes it suitable for a wide range of applications, including DC-DC converters, power supplies, motor control systems, and battery protection circuits
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TSOP-6 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19.2 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 46 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 4.2 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI3 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 30 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 9 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Unit Weight: | 0.000705 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI3421DV-T1-GE3 is a high-performance, low-power, dual-channel MOSFET driver chip. It is designed for use in DC-DC power converters, motor controls, and other applications requiring high-speed switching of power MOSFETs. The chip features low on-resistance, high current drive capability, and thermal shutdown protection for reliable operation in demanding environments.
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Equivalent
The equivalent products of SI3421DV-T1-GE3 chip are SI3417DV, SI3422DV, and SI3423DV. These are all high-performance, low-loss power switch chips from Vishay Siliconix with similar specifications and functionality. -
Features
SI3421DV-T1-GE3 is a dual N-channel 30V MOSFET with a low on-state resistance, high current capability, and an advanced process technology. It is suitable for high efficiency DC-DC converters, power management in portable electronics, and load switch applications. -
Pinout
The SI3421DV-T1-GE3 is a dual N-channel, 20 V power MOSFET with a compact, low-profile DFN-2x2 package. It is designed for use in power management applications where space is limited. The pin count is 6, with functions including gate, source, and drain connections for each MOSFET. -
Manufacturer
SI3421DV-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, a global company that produces electronic components such as discrete semiconductors, optoelectronics, power modules, and passive components. Vishay Intertechnology is known for its innovative and high-quality products that serve a wide range of industries, including automotive, consumer electronics, industrial, and telecommunications. -
Application Field
SI3421DV-T1-GE3 is a p-channel MOSFET designed for applications in power management, battery protection, load switching, and other low voltage and high current applications. It is commonly used in portable devices, consumer electronics, and industrial equipment where efficient power management and control are required. -
Package
The SI3421DV-T1-GE3 chip is a dual N-channel MOSFET in a PowerPAK package with a form of tape and reel. It has a size of 3mm x 3mm x 0.6mm.
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