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vishay SI3442BDV-T1-E3
Single N-Channel 20 V 0.057 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI3442BDV-T1-E3
Fiche de données: SI3442BDV-T1-E3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TSOP-6
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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|---|---|---|
| 1 | $0,310 | $0,310 |
En stock: 9 458 PC
SI3442BDV-T1-E3 Description générale
Featuring a 20V breakdown voltage and a single-channel design, the SI3442BDV-T1-E3 offers excellent performance and reliability for demanding applications. Its compact MO-193AA package ensures easy integration into circuit designs, making it a versatile choice for engineers and designers
Caractéristiques
- It operates on an N-channel mechanism.
- It has a low on-resistance and high current-handling capability.
- The component is designed to be operated at a voltage rating of 30 volts.
- It has a continuous drain current of approximately 11 amperes.
- The SI3442BDV-T1-E3 showcases a low gate threshold voltage.
Application
- Power management circuits: MOSFETs are commonly used in various power supply circuits, including DC-DC converters and voltage regulators.
- Motor control: These components are frequently employed in motor control systems to regulate and control the speed and direction of motors.
- Consumer electronics: MOSFETs can be utilized in televisions, audio amplifiers, and other consumer electronic devices for efficient power management.
- Lighting systems: MOSFETs can be integrated into LED driver circuits for controlling and dimming LED lighting systems.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TSOP-6 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 4.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 57 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V | Qg - Gate Charge: | 3 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.67 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI3 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 15 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 50 ns |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns | Part # Aliases: | SI3442BDV-T1-BE3 SI3442BDV-E3 |
| Unit Weight: | 0.000705 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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Paiement
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Emballage
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