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vishay SI7489DP-T1-E3

P-channel MOSFET for efficient switching and contro

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Vishay

Pièce Fabricant #: SI7489DP-T1-E3

Fiche de données: SI7489DP-T1-E3 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: PowerPAK-SO-8

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 6 000 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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SI7489DP-T1-E3 Description générale

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

SI7489DP-T1-E3

Caractéristiques

Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 7.8A, 10V

Power Dissipation (Max)
5.2W (Ta), 83W (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 50 V

Mfr
Vishay Siliconix

Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA

Vgs (Max)
±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)

FET Type
P-Channel

Category
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V

Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type
Surface Mount

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
feature-category Power MOSFET feature-material
feature-process-technology TrenchFET feature-configuration Single Quad Drain Triple Source
feature-channel-mode Enhancement feature-channel-type P
feature-number-of-elements-per-chip 1 feature-maximum-drain-source-voltage-v 100
feature-maximum-gate-source-voltage-v ±20 feature-maximum-gate-threshold-voltage-v
feature-maximum-continuous-drain-current-a 28 feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 41@10V
feature-typical-gate-charge-vgs-nc 106@10V|[email protected] feature-typical-gate-charge-10v-nc 106
feature-typical-input-capacitance-vds-pf 4600@50V feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw 5200 feature-packaging Tape and Reel
feature-rad-hard feature-pin-count 8
feature-supplier-package PowerPAK SO feature-standard-package-name
feature-cecc-qualified No feature-esd-protection
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-eccn-code EAR99
feature-svhc No feature-svhc-exceeds-threshold No
Series TrenchFET® Product Status Active
FET Type P-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 83W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Package / Case PowerPAK® SO-8

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The SI7489DP-T1-E3 chip is an electronic component developed by vishay siliconix. it is designed for power management applications and features a high-side load switch with overcurrent protection. the chip offers a low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for various power control tasks in automotive, industrial, and consumer electronics.

  • Features

    The SI7489DP-T1-E3 is a dual n-channel 30 v (d-s) mosfet designed for use in power management applications. it features low on-resistance, fast switching speed, and a small sot-363 package for space-constrained designs. additionally, it has a logic-level gate drive, making it compatible with low-voltage control signals.

  • Pinout

    The SI7489DP-T1-E3 is a dual n-channel mosfet. it has an 8-pin package, with the following pin configuration: 1 - source 1, 2 - drain 1, 3 - gate 1, 4 - nc, 5 - source 2, 6 - drain 2, 7 - gate 2, 8 - nc.

  • Manufacturer

    The manufacturer of the SI7489DP-T1-E3 is vishay siliconix. vishay siliconix is a company that specializes in the design, manufacture, and distribution of power and small-signal discrete semiconductors and passive electronic components.

  • Application Field

    The SI7489DP-T1-E3 is a voltage level translator ic. it can be used in various applications where voltage translation is required between different logic levels, such as communication interfaces, data converters, memory modules, and other digital systems.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

ACS722LLCTR-05AB-T

RXEF110

D8254-2

LM74700QDBVTQ1

BV1HD090FJ-CE2

OKL-T/6-W12P-C

MPQ8626GD-Z

BSS138BKW,115

AOE6932

MSC400SMA330B4

PCA9548APW,118

SE050C2HQ1/Z01SDZ

OPA2188AIDGKR

ADS7805U

EAST1616RGBB4

STM32H730VBT6

BQ25792RQMR

STM32F401CEU6

IRAMS10UP60A

MUR1520G

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

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