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vishay SI7617DN-T1-GE3
Silicon-based metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with P-channel configuration, offering a current capacity of 13
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI7617DN-T1-GE3
Fiche de données: SI7617DN-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PowerPAK-1212-8
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,473 | $0,473 |
| 10 | $0,421 | $4,210 |
| 30 | $0,397 | $11,910 |
| 100 | $0,373 | $37,300 |
| 500 | $0,306 | $153,000 |
| 1000 | $0,298 | $298,000 |
En stock: 9 458 PC
SI7617DN-T1-GE3 Description générale
P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Caractéristiques
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Application
SWITCHINGCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12.3 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V | Qg - Gate Charge | 39 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 52 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET | Series | SI7 |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
| Fall Time | 9 ns, 12 ns | Forward Transconductance - Min | 35 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 9 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns | Part # Aliases | SI7617DN-GE3 |
| Unit Weight | 0.032487 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI7617DN-T1-GE3 is a power management IC (PMIC) designed for use in a variety of applications including tablets, notebooks, and other handheld devices. It features a dual step-down converter, LDO regulator, and I2C interface for monitoring and programming settings. This chip offers high efficiency and reliable performance for power management needs in portable electronics.
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Equivalent
The equivalent products of SI7617DN-T1-GE3 chip are SI7620DN-T1-GE3, SI7618DN-T1-GE3, and SI7621DN-T1-GE3. These chips are all dual N-channel 30 V MOSFETs with integrated Schottky diode, ideal for DC-DC converters, synchronous buck converters, and load switches in various electronic applications. -
Features
SI7617DN-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a 30V Vds rating and 50A continuous drain current capability. It has a low on-resistance of 4.5m ohm and a compact 3x3mm PowerPAK package. This MOSFET is suitable for high power industrial and automotive applications. -
Pinout
The SI7617DN-T1-GE3 has a 7 pin count and is a synchronous buck regulator IC. It is designed to deliver a regulated output voltage while operating from a wide input voltage range. It features integrated FETs, a current limit, and over-temperature protection. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI7617DN-T1-GE3 is Vishay Intertechnology. Vishay is a multinational company that produces electronic components for a variety of industries, including automotive, telecommunications, and consumer electronics. They specialize in passive components such as resistors, capacitors, and inductors, as well as discrete semiconductors and power management products. -
Application Field
The SI7617DN-T1-GE3 is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, battery chargers, and voltage regulators. It is also suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications that require efficient power management and voltage regulation. -
Package
The SI7617DN-T1-GE3 chip comes in a PowerPAK® SO-8 package. It is a dual N-channel MOSFET in a surface-mount configuration and has a size of 5mm x 6mm.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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