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vishay SIA416DJ-T1-GE3

100V N-Channel MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Vishay

Pièce Fabricant #: SIA416DJ-T1-GE3

Fiche de données: SIA416DJ-T1-GE3 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SC-70-6

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour SIA416DJ-T1-GE3 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

SIA416DJ-T1-GE3 Description générale

MOSFET, N-CH, 100V, 11.3A, PPAKSC70-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.068ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:19W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SC70; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited

Caractéristiques

  • TrenchFET® Power MOSFET
  • 100 % Rg and UIS Tested
  • Material categorization: For definitions of compliance please see

Application

  • DC/DC Converters
  • Full-Bridge Converters
  • For Power Bricks and POL Power

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-70-6
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 11.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 68 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.6 V Qg - Gate Charge: 10 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 19 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: TrenchFET, PowerPAK Series: SIA
Packaging: MouseReel Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: Single Fall Time: 10 ns
Forward Transconductance - Min: 8 S Product Type: MOSFET
Rise Time: 13 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 10 ns Typical Turn-On Delay Time: 5 ns
Unit Weight: 0.001144 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The SIA416DJ-T1-GE3 is a high-performance, integrated power switch designed for use in a wide range of applications. It offers advanced protection features, such as overcurrent and overtemperature protection, to ensure reliable operation. This chip is a cost-effective and efficient solution for power management in various electronic devices.

  • Equivalent

    The equivalent products of the SIA416DJ-T1-GE3 chip are Infineon BSC116N08NS3G, ON Semiconductor NTMFS4108N, and Vishay SI4411DY. These are MOSFET transistors with similar specifications and capabilities, making them suitable alternatives for the SIA416DJ-T1-GE3 chip in various applications.

  • Features

    SIA416DJ-T1-GE3 is a high-power, high-efficiency SiC (Silicon Carbide) power MOSFET. It features a low on-resistance, fast switching speed, and a compact package size. It is suitable for a wide range of applications including power supplies, motor drives, and solar inverters.

  • Pinout

    The SIA416DJ-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. The functions of the pins are: pin 1 and pin 2: Gate 1 and Gate 2, respectively; pin 3 and pin 4: Source 1 and Source 2, respectively; pin 5 and pin 6: Drain 1 and Drain 2, respectively; pin 7: Thermal pad; pin 8: NC (no connection).

  • Manufacturer

    SIA416DJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor is a leading global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Specializing in diodes, rectifiers, transistors, and power modules, Vishay Semiconductor provides solutions for a wide range of industries including automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics.

  • Application Field

    SIA416DJ-T1-GE3 is widely used in high-speed data transmission applications such as data centers, telecommunication networks, and high-performance computing. It is also used in industrial automation, automotive electronics, and medical devices due to its high-speed and high-frequency performance capabilities.

  • Package

    The SIA416DJ-T1-GE3 chip is a Discrete Semiconductor Product in a PowerSO-8 package. It is a MOSFET N-CH 100V 52A PowerPAK SO-8 form with a size of 5mm x 6mm.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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